《维持美国在半导体制造领域的竞争力-芯片法案激励优先事项》( 二 ) 芯片实验室赵工半导体工程师

（二）美国应在本土新建一家先进的大型DRAM芯片工厂。
一是建议50-100亿美元的芯片激励款项用于提升美国境内DRAM制造能力。 DRAM经济规模高，成本效益最低的DRAM晶圆厂的月产能是10万片，相当于目前全球DRAM产能的6%左右。当全球DRAM芯片出现严重短缺时，月产能10万片即可满足美国DRAM最敏感的应用领域需求，新建一家月产能10万片的DRAM晶圆厂将需要50-100亿美元的资金。二是建议DRAM激励款项给予美光公司。全球DRAM的需求基本由美光、三星和SK海力士三家公司满足，这三家生产商的产品在很大程度上是可替代的。考虑到DRAM投资具有大规模性和长期性的特点， DRAM的激励款项应给予在美国具有长期生存能力和对美忠诚的公司。作为总部位于美国的唯一一家存储芯片制造商，美光将是很好的对象。
（三）美国应与盟友协调，用来重塑传统逻辑芯片制造能力。
一是瞄准传统逻辑芯片境内产能缺口，用剩余的40-90亿美元激励款项建造2-5家传统逻辑芯片厂。虽然这不会完全满足美国对传统逻辑芯片的需求，但可以覆盖敏感应用领域的需求。二是联合盟友（特别是德国、日本和韩国）投资传统逻辑芯片制造，以减少全球对中国大陆和中国台湾的依赖。德国、日本、韩国、新加坡等都具备传统逻辑芯片制造能力，联合这些国家投资传统逻辑芯片制造，美国可将更多的激励款项用于提升先进逻辑芯片制造能力。
（四）美国应联合东亚盟国参与评估和协调关于半导体制造的激励措施。
一是，进一步研究和了解日本和韩国为其芯片制造商提供的激励措施的水平。二是，与盟友（尤其是中国台湾和韩国）协商调整激励措施，以鼓励供应链的弹性和多样性。
附录：
表1.不同类型半导体器件回流的相对需求

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注：（1）橘色：表示未来更容易发生供应短缺；
（2）*：数据25%是先进和传统逻辑芯片加起来的统计结果，当前Gartner的数据尚无法区分不同节点芯片的销售情况。
表2.美国对先进逻辑芯片需求的估算

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注：以2021年年出货量为标准进行计算
注脚
【1】CSET简介：CSET是美国乔治敦大学(GeorgetownUniversity)沃尔什外交学院(WalshSchoolofForeignService)下属智库安全与新兴技术中心(CenterforSecurityandEmergingTechnology,简称CSET) ，乔治城大学拥有“政客乐园”的称誉，乔治城大学沃尔什外交学院与哈佛大学肯尼迪政治学院、约翰·霍普金斯大学保罗·尼采高级国际研究学院、哥伦比亚大学国际与公共事务学院齐名，为美国及世界各国政府机构输送了大量杰出的领导人。
【2】包括已经在建的和计划新建的芯片制造厂
【3】390亿美元联邦拨款中有20亿美元是为成熟技术节点预留的，该部分刺激款项的使用不在该报告研究范围。
【4】包括16纳米（nm）节点以上的传统逻辑芯片和5nm节点的先进逻辑芯片。
【5】英特尔主要专注PC机和服务器芯片，三星主要专注于平板电脑和智能手机芯片，台积电可提供几乎所有先逻辑芯片的代工。
【6】CSET估计，美国先进逻辑芯片的消费英特尔占25% ，三星占20% ，台积电占55% 。
【7】目前，英特尔、三星和台积电都已经有了在美国新建先进逻辑芯片厂的计划，若这些计划不依赖于芯片法案的激励款项，节省下来的资金可用于投资于未来几代的先进逻辑芯片。在这种情况下，未来的激励款项仍应遵循类似1:1:2的比例分布在英特尔、三星和台积电的晶圆厂。