苹果M1 Ultra芯片解析：如何实现双芯性能翻倍( 二 ) 在当下的半导体行业中

第三项是优化高纵横比的硅通孔(TSV) ， TSV是硅中介层技术中另一个非常关键部分。 UltraFusion/CoWoS-S5通过使用重新设计的TSV ，优化传输特性，以适合高速SerDes传输。
第四项集成在中介层的电容(iCAP) ， UltraFusion在中介层集成深沟槽电容器(iCap) ，提升芯片的电源完整性。集成在中介层的电容密度超过300nF/mm2 ，帮助各芯粒和信号互连享有更稳定的供电。
第五项新的热界面材料， UltraFusion通过集成在CoWoS-S5中，使用热导率>20W/K的新型非凝胶型热界面材料(TIM) ，拥有100%的覆盖率，提高各个高算力芯粒的散热能力，提升整体散热性能，降低积热。
第六项通过Die-Stitching技术有效提升封装良率降低成本， UltraFusion仅将KGD(KnownGoodDie)进行键合，避免传统WoW(WaferonWafer)或CoW(ChiponWafer)中失效的芯粒被封装的问题，提升封装后的良率，降低整体的平均成本。

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编辑点评：苹果的UltraFusion技术充分结合封装互连技术、半导体制造和电路设计技术，为整合面积更大、性能更高的算力芯片提供巨大的想象空间。同时， M1Ultra的成功，会让传统的芯片制造商，感受到更大的压力。
作为未来半导体的发展方向，先进封装技术在最近几年已得到广泛的应用，同时获得大众的认可。特别是越来越多厂商加入到自研芯片的大军，如何提升Chiplet之间的互联、再到与HBM或DDR内存之间的带宽，也是延续摩尔定律的焦点。