来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「semiwiki」|浅谈下一代EUV光刻机( 四 )
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在这种情况下 ， 二次离子质谱(secondaryionmassspectroscopy：SIMS)用于分析聚焦入射离子束大小的薄膜成分 ， 并聚集大量样品以评估PR异质性 。
用James的话来说 ， “这种SIMS方法提供了数据来指导我们进行化学变化 ， 从而提高图案均匀性 。 需要更好的分析方法来改进EUV抗蚀剂设计 ， 以应对HighNAEUV带来的挑战——例如用于金属氧化物抗蚀剂的SIMS和FTIR 。 而且 ， 与供应商的密切合作至关重要 。 ”总结
高数值孔径EUV系统的引入将是解决与EUV多重图案相关的成本问题的关键步骤 。 然而 ， 正如英特尔在2021年VLSI研讨会上的演讲所表明的那样 ， 为了满足相应的光刻胶材料要求 ， 特别是解决有机材料与金属氧化物材料之间的权衡问题 ， 显然还有大量的开发（和资格认证） 。 看看并行且相互依存的光刻系统和光刻胶技术如何发展将会非常有趣 。
附：highNAEUV光刻机介绍
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【来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「semiwiki」|浅谈下一代EUV光刻机】来源：半导体行业观察
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