台积电|从5nm+制程聊起 半导体工艺制程龙虎斗( 二 )
举个例子28nm工艺制程后一代制程,即28*0.7约等于22,于是下一代工艺制程便被命名为22nm,接下来的14nm,乃至于10nm,7nm都是按照这个规律命名 。
晶体管密度才是关键
那么既然后续命名和Gate Length物理尺寸没有任何联系,业界又是如何判定不同厂商之间的工艺带差呢?
那便是芯片内部的晶体管密度,通过对比芯片内部的晶体管密度多少,即可判定是否属于先进工艺或是同一工艺 。
在这里,我们可以例举Intel 10nm工艺制程,根据公开消息,Intel 10nm工艺制程虽然在命名上不如台积电7nm工艺、三星7nm工艺制程响亮,可在晶体管密度方面,Intel 10nm远超台积电7nm工艺(DUV)和三星7nm(DUV),仅次于用EUV光刻机研发的台积电7nm+工艺 。
由此可以看出,Intel 10nm和同期台积电、三星等厂商工艺制程属于同一水平,只是在命名上的不激进,导致被很多用户笑谈“挤牙膏” 。
关于台积电N5+工艺
了解了工艺制程,回过头,再来看看台积电这次为新iPhone准备5nm+,到底又是何方神圣 。
实际上,相较于火热的iPhone参数,关于台积电5nm+制程工艺消息,透露的并不多,我们可以试图从台积电5nm工艺一窥究竟 。
此前,台积电总裁魏哲家就在技术论坛上表示,相较上一代7nm,5nm制程速度提升近15%,功耗则降低了30%,晶体管密度提升80%,妥妥的是新一代工艺制程 。
而该工艺也被首先运用在iPhone12之上,根据官方数据,采用台积电N5工艺的A14仿生芯片,内置118亿个晶体管,晶体管多了近30多亿,而CPU性能提升40%,而GPU则提升了近50% 。
至于5nm+制程工艺,根据消息人士推测,将在5nm工艺的基础上,带来5%的额外速度提升和10%的功率提升 。
至于具体提升,让我们拭目以待吧 。
【台积电|从5nm+制程聊起 半导体工艺制程龙虎斗】
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