海内外龙头相继上市下游汽车市场放量在即第三代半导体处爆发前夜|行业动态| gan( 二 ) openharmony|操作系统|ope|nato|开源

头部材料商们近来频频签下供货长单，未来产能被客户提前锁定。如全球最大的SiC外延片供应商昭和电工，今年以来先后获得来自英飞凌、罗姆和东芝的长约。Cree也早与英飞凌、意法半导体、安森美等中游企业签订长期供货协议。
某国内SiC功率器件设计公司的CEO告诉采访人员，目前Cree等海外龙头的晶圆片已经很难买到，“现在美国的大厂，只针对几个大客户给长年限的合同。小客户去买，要么没货，要么交期很长。不过这对国内上游材料企业来说，也是一个很好的机会。”
而具有军用属性的半绝缘型SiC衬底（用于制成GaN射频器件）更是遭遇来自美国等《瓦森纳协定》成员国的禁运。贸易管控背景叠加国内5G建设高峰，使得刚过会的山东天岳在2020年迎来营收倍增，在半绝缘领域的全球市占率也从2019年的18%大幅提升至30%。然而业内对其能否维系这一份额存在分歧。
供不应求的另一面，是SiC仍有较大的降本空间。有产业链人士向采访人员表示，材料工艺进步带来的良率提升，就有望让SiC价格下降1/3，而长远看，未来成本削减的上限或为当前价格的一半。
“SiC取代硅基IGBT的技术路线，特斯拉和比亚迪已经给大家探过路了，肯定没问题。现在核心的矛盾是价格，真正愿意去用SiC器件的，还只是一部分车型。”《化合物半导体》中文版主编陆敏博士告诉采访人员，当下SiC材料的价格大约是硅的60、70倍，制成的SiC SBD器件价格约是硅基器件的2-5倍，而SiC MOSFET器件大概在5-8倍。
“SiC价格基本上每年以10%-15%的幅度在降，但目前单晶衬底主流的制备方法PVT（物理气相传输法）存在技术瓶颈，长期看成本减半即是上限，还是会比硅器件贵很多，”陆敏认为，在有新的颠覆性制备工艺商业化应用之前，SiC器件的增长极限是与硅基器件平分汽车市场。
产业界则流传另一套算法：虽然在一辆车上采用SiC意味着增加200-300美元，但整车成本可以节省更多——包括600美元的电池成本、600美元的汽车空间成本以及1000美元散热系统成本。
前述器件设计公司CEO也认为，单个器件对比而言，SiC没有价格优势，但从整个系统应用角度去考虑，SiC的效益显然更佳。不过，他同时承认，“厂家从自身利益出发，现在还没到全系统替换的时候，因而SiC的功效还不能完全发挥。”
尽管对“贵”的标尺不统一，但削减成本、进而释放下游需求，已成产业链共识。据了解，目前上游材料成本占到器件成品的75%，其中衬底约占50%，外延约25%。
有业内人士向采访人员表示，和衬底相比，外延技术难度并不大，而一些器件IDM商也正在向上游外延环节延伸，以达到削减成本的目的。因此真正的降本痛点落于衬底环节，这也是整个第三代半导体产业链上价值量最大、技术壁垒最高、国内与国际水平差距最大的一环。
国内衬底项目遍地开花业内人士：多数难实现产业化
与传统硅基IC的晶圆制造相比，第三代半导体投资周期短，固定资产投资相对较弱，更依赖于工艺和人，已吸引大量资本的涌入，相关项目呈遍地开花局势。

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据中国电子材料行业协会统计，目前国内光是SiC衬底在建和已建成的项目就不下于30个，其中不乏三安光电、露笑科技等上市公司身影。项目总规划投资额超过300亿元人民币，预计规划产能超200万片/年。
【海内外龙头相继上市下游汽车市场放量在即第三代半导体处爆发前夜|行业动态| gan】不过，中电科第四十六研究所首席专家王英民博士表示，目前国内SiC衬底已实现产业化的仅有山西烁科、山东天岳、天科合达、河北同光4家公司，2020年国内产量为11万片左右。多位受访人士认为，国内在衬底环节起步时间晚、技术和人才储备弱，而大多跟风新进的参与者对材料性质不熟，产业化前景并不乐观。

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