半导体疯狂扩产面临隐忧！存储器涨势反转，或迎价格暴跌( 四 ) 智能手机|利润

2020年Q4至2021年Q2 DRAM出货量增长背后的因素

DRAM出货额从149.86亿美元增至235.3亿美元（1.57倍）
DRAM出货量从48.88亿个增加到55.29亿个（1.13倍）
主流的DDR4_8G合约价从2.85美元涨至4.1美元（1.44倍）
（出货量系数 1.13）x（涨价系数 1.44）= 1.62

如上所述，DRAM出货量增长幅度（1.57倍）与出货量增长1.13倍、主流DRAM价格增长1.44倍的乘积值（1.62倍）大致相当。
因此，可以说这张图中DRAM出货额的增加是由出货量和价格上涨两方面因素共同造成的。一开始汤之上隆以为出货量的增加会带来更大影响，但后来发现价格上涨反而会带来更大的影响。

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DRAM出货量季度出货量及数量变化（~2021 Q2）
八、NAND现货价走势难解汤之上隆也对NAND进行了现货价和合约价的分析。首先，下图展示了2020年12月31日~2021年9月17日期间各种NAND的现货价走势。

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各种NAND的现货价（2020年12月31日~ 2021年9月17日）
SLC是Single Level Cell, MLC是Multi Level Cell, TLC是Triple Level Cell，分别是可以在一个存储器单元中写入1位、2位、3位的NAND。另外3D TLC是3D NAND的意思，没有3D的NAND都是2D NAND。
继续看上面这张图，可以看到3D TLC 1T（1TB）是最高的，SLC 1G和SLC 2G是最便宜的，除此之外没有规律。
因此，与DRAM的情况相同，汤之上隆观察了2020年12月31日将价格标准化为“1”时各种NAND的价格变化。要解释下面这张图相当困难。首先，从整体上来说，没有哪一种NAND的价格像DRAM的现货价一样上涨2倍。价格最高的SLC_2G也只有1.2~1.27倍。

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标准化的各种NAND的现货价（2020年末-2021年9月17日）
此外，MLC_128G和MLC_256G的价格几乎呈线性增长。SLC_16G价格从8月下旬开始突然猛涨。另一方面，SLC_8G自4月中旬以后，价格下降到“1”以下，持续下降到0.93。
那么，为何上述NAND会有这样的表现呢？这很难明确回答，比如SLC_2G和SLC_1G的价格相对较高。由于SLC的集成度不高，可以考虑汽车等要求高可靠性但不关注集成度的应用（虽然没有太多证据）。
九、NAND的现货价和合约价未大幅上涨接下来，我们来看一下2020年12月~2021年8月期间各种NAND合约价的变化。价格最高的是SLC_32G，其次是SLC_16G，MLC_128G为第三。由此可见，NAND并不是集成度越高，价格越高。

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各种NAND合约价（2020年12月-2021年8月）
如果集成度相同，均为32G，MLC价格约为3美元，而SLC达到4倍以上，为12.55美元。换言之，对于汽车和高性能计算机等可靠性要求严格的产品，可使用SLC而非MLC。
NAND厂商在开发TLC之后又开发了Quad Level Cell（4位单元）和Penta Level Cell（5位单元），但这些多位单元似乎不能用于所有终端产品。
汤之上隆们将2020年12月合约价标准化为“1”，观察各种NAND价格的变化。结果显示，所有NAND在2021年3月~4月期间价格上涨了1.06~1.1倍，6月~7月再涨了1.5~1.18倍。

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标准化的各种NAND合约价（2020年末-2021年8月）
到2021年8月，MLC_32G、MLC_128G和 MLC_64G是价格涨幅最大的，然后是SLC_1G。诚然，SLC_1G属于现货价格涨幅较大的一类，但SLC_2G在8月中旬之前现货价涨幅最大，是合约价涨幅最小的类型。
综上所述，无论是NAND的现货价还是合约价，都没有像DRAM那样大幅上涨。此外，存储单元的大小、集成度与NAND价格之间的相关关系很难找到。顺便一提，目前生产的NAND中，集成度超过512G的NAND逐渐取代256G成为主流。