800V超充技术,是解决补能焦虑的最佳答案吗?
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文|二哥头
【800V超充技术,是解决补能焦虑的最佳答案吗?】在最新一轮的电动汽车竞争中 , 800V超充系统似乎已经是站到了C位 。
在刚刚过去的小鹏1024智能日上 , 小鹏汽车发布了多项战略规划 , 其中就包括将推出国内首个量产800V高压SiC平台 , 该平台最高支持600A电流输入 , 可以实现充电5分钟 , 增加200km续航里程的能力 。
从2019年保时捷Taycan首次推出800V超充技术之后 , 后续包括埃安、极氪、现代E-GMP5、奔驰EVA、通用奥特能等等均是推出了800V高压平台 , 它似乎已经是成为了主机厂眼中的香饽饽 。
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为什么现在的主机厂如此推崇高电压超充平台?其实答案也很好理解——充电效率 。
此前我们一直强调过一个观点 , 新能源汽车续航焦虑的本质 , 其实就是补能焦虑 , 如果我们更深入一点 , 造成补能焦虑的原因是什么?
没错 , 就是充电桩的数量以及充电时间的快慢 。
数量这一块我们一直在努力 , 根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟最新数据显示 , 截至9月 , 全国充电基础设施累计达222.3万台
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而如何减少充电时间 , 高压超充技术就是这个问题的答案 。
此前中国科学院院士欧阳明高就曾在电动汽车百人会组织的研讨会上明确指出 , 解决充电的后顾之忧 , 需要更大功率的快充技术 , 超级快充是大势所趋 , 行业需要推进电动汽车采用≥800V的更高电压平台 。
所以结合以上来讲 , 高压平台超充技术的确是大势所趋 。
从技术角度出发 , 在高电压平台中 , 电机逆变器是关键所在 , 目前市场主流的400电压平台是采用的IGBT作为核心 , 但由于其功率耐压能力在高压中表现并不好 , 所以并不能再上到更高的电压平台 。
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所以目前行业内开始将SiC作为逆变器的核心 , 使其表现更好 , 比如800V高压平台下使用SiCMOSFET会比传统的硅基IGBT整体系统效率提高8% 。
与此同时 , 在相同功率前提下 , 采用SiC器件的模块尺寸和重量相比传统硅基模块大幅缩小 , 甚至可以令开关损耗降低75% 。
这就给800V高压平台的发展提供了支持 , 而且如果单从技术上来讲 , 800V高压快充技术已基本成熟 。
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不过技术成熟之余 , 想要快速普及超充技术 , 还有几大问题亟需解决 。
首先是电池问题 , 电池对负极是快充主要关注对象 , 需要降低负极的内阻 , 减少电极的厚度 。
同时快充也会对动力电池的冷却系统以及BMS带来更高要求 , 因为超高压平台会带来温度上的提高 。
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其次 , 充电口标准需要尽快做到统一 , 不然凭借一家主机厂或者一个充电品牌的超充 , 可能只能减轻极少一部分人的补能焦虑 。
再一个 , 超充普及之后对于国家电网的承载能力也是一个考验 , 我们此前列举过一个数据 , 如果一个城市有一万辆车辆同时以480KW的功率进行充电 , 那么将为电网带来480万千瓦的负荷 , 而整个上海的峰值功率也才3352万千瓦 , 相当于占据上海峰值用电的14% 。
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