euv|韩企在华引入EUV光刻机，遭美国阻挠

在美国围堵中国大陆半导体产业发展的过程中，设备扮演着关键角色。现在，为防止最先进的半导体制造设备进入中国大陆，美国甚至连盟友的企业都不开绿灯。
当地时间11月18日，路透社援引知情人士的话报道称，韩国企业SK海力士无锡工厂的升级改造计划面临危险，因为美国官员不允许阿斯麦EUV（极紫外光刻机）进入中国大陆，SK海力士原本希望通过该设备提高存储芯片的生产效率。
观察者网就此事联系了阿斯麦，对方表示：没有进一步的信息可以提供，该公司也不评论单个客户的具体事务；SK海力士方面没有回应观察者网的置评要求。
就在同一天，阿斯麦首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）表示，该公司预计其产品在中国大陆的需求依然强劲，2021年销售额将达到约20亿欧元（约合人民币144亿元）。他同时称，如果美国进一步限制该公司对华出售光刻机，这些产能可能会转移到其他地区。

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路透社报道截图
据路透社援引的三位知情人士称，SK海力士计划在无锡升级一个存储芯片量产设施，该过程需要用到EUV光刻机。美国过去曾表示反对，理由是将这类先进工具运至中国大陆可能被用于强化中国大陆的军事力量。
但无锡这家工厂对全球电子行业至关重要，因为其生产SK海力士约半数的动态随机存储器芯片（DRAM），占全球总量的15%。任何重大变化都可能对全球内存市场产生影响。市场分析公司IDC称，仅2021年，全球内存市场的需求就将增长19%。

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2021年三季度，SK海力士占据全球DRAM市场27.2%的市场份额数据来源：TrendForce集邦咨询
一位白宫高级官员拒绝评论美方官员是否会允许SK海力士将EUV光刻机带到中国大陆。
但这位官员向路透社声称，拜登政府仍然专注于防止中国大陆利用美国和盟国的技术来发展最先进的半导体制造，这将会助力中国大陆军事现代化。
今年7月，SK海力士宣布，已开始在韩国使用EUV光刻机量产基于1a纳米级工艺的8G LPDDR4移动DRAM芯片，与第三代1znm内存芯片相比，1a技术在相同的晶圆面积下，生产的芯片数量可以增加25%。
一位了解SK海力士在中国大陆运营情况的消息人士透露，随着两到三年后新型芯片在SK海力士的生产中占据更大份额，该公司将需要EUV光刻机来控制其成本并加速生产。
路透社报道称，SK海力士内部的担忧以前没有被披露过。如果这种情况在未来几年内得不到解决，SK海力士可能会在与头号内存芯片制造商三星电子和美国美光等对手的竞争中处于不利地位。
目前，韩国三星电子也在西安运营着半导体存储芯片工厂，但由于产品是NAND型闪存，目前尚不需要EUV设备。这是因为在NAND领域，业内企业围绕使存储元件纵向叠加的“三维技术”展开竞争，即使没有将半导体电路线宽缩小至极限的“微细化”所需的EUV光刻机，也能够量产尖端产品。

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阿斯麦NXE3400型EUV光刻机图片来源：阿斯麦官网
据两位知情人士称，EUV光刻机的问题在SK海力士内部引起了足够的关注，首席执行官李锡熙（Lee Seok-hee）在7月访美时向美国官员提出了这个问题。
SK海力士方面不予置评。但该公司补充称，其根据各种市场环境灵活运作，正在尽最大努力应对市场和客户的需求，没有问题。
路透社援引的阿斯麦一位发言人称，该公司遵守所有的出口管制法律，并将其视为政府确保国家安全的“有效工具”。但该公司同时补充称，过度使用出口管制“可能会影响到满足半导体需求增长所需的产能”。