|大容量、高耐用——Crcuial英睿达MX500 SSD 4TB版本完全解读( 二 )

对SSD来说，容量越大， TBW越大，但你为每GB投入的成本其实是随之减少的。 OK ，相信朋友们都想知道这块英睿达4TB的 MX500到底有多少耐用度吧——1000TBW ，是的，你没看错，也就是1PB；2TB的这一参数为700TBW；而1TB的参数上次朋友们也看过了， 360TBW ，是不是顿时就感到手里这块4TB的SSD特别香了呢！

TBW ，换一种说法，毕竟这是厂商人为设定的数值。 SSD寿命跟硬盘的闪存颗粒关系非常密切。打开盘片，我们就可以看到PCB板上正反各排布了两颗 1TB的闪存颗粒，编号为Micron“IKE2D NY135” ，记忆好的朋友应该还记得1TB版本安装了两块编号为“0SB2D NW952”的500GB闪存颗粒，根据后5位的FPGA编号可以查询到它是美光的96层堆叠3D NAND TLC颗粒。
不过访问国外网站的速度真是慢，加上对美光的查询系统还不太熟，需要先查询配件编号，才能查到具体参数。这次效率高多了，很快就查得NY135的FPGA编号对应的是176层的TLC颗粒。之前P5 PLUS的颗粒FPGA编号为NY124 ，我们无从得知两种颗粒的等级差别，不过可以确认的是， NY开头的FPGA编号专指176层的TLC 。

在闪存上我们最后还较了一次真， NY124我们已经在P5 PLUS的测试中获知其MTTF（平均失效前时间）为200万小时，在网上查得NY135的MTBF（平均故障间隔时间）为180万小时，这两个指标其实是有一定差别的，并不一定能真正证明两种颗粒就一定会有差别，我们也会向厂商进一步确认这个指标。
从3D NAND技术路线来看，从96层跨越到100+以上，各家存储厂商都付相当大的投资和时间才跨越了这个界限。在征服更多闪存层数上各家都有自己的技术，如何能让字线（带有存储单元的活动层）占比更多，如何能让控制电路不干扰堆栈结构……
镁光在Intel合作时，采用的是浮动栅极单元架构，在独立开发产品之后，立即采用了更新的电荷捕获单元架构，而且在短暂经过128层的技术积累后，迅速推出176层的闪存单元，镁光的技术积累可见一斑。不仅如此，在上个月我们测试了英睿达第一款PCIe 4.0 SSD——P5 PLUS之后， 176层TLC很快便降维打击，直接就应用在了一款SATA接口的SSD之上，英睿达在产品设计上还是极为厚到的。

在主控方面， 4TB与1TB版本采用了相同的慧荣SM2259H（前代产品上为SM2258）扩展参数略有不同，为AD P1H339.00 。慧荣这个主控在SATA领域算是较为高端的，虽然只有四个读写通道，但每个通道能支持8CE片选信号。要知道，不少低端的NVMe的主控采用的是8通道、4CE的配置，两者的数据吞吐量其实是一样的，所以看主控不要惟通道论。主控相同，所以4TB的标称的连接读写速度与1TB完全相同，仍为560MB/s和510MB/s 。
另外，我们之前评测也提过， MX500支持NANDXtend纠错码 (ECC) 技术，可延长颗粒寿命，提升解码效率，且能提供端对端数据路径保护能力和SRAM ECC能力等企业级功能，加上内置的高级Direct-to-TLC和SLC Caching算法，从数据可靠性角度为SSD拓展了应用场景。

提供独立缓存是MX500一直非常受欢迎的地方， 4TB版本的内存颗粒编码为“1LP77 D9SHD” ，在镁光官网上查询可获知，这是一块4GB的DDR3-1866的DRAM ，位宽为x16 。这也是MX500的惯例，为每TB提供1GB的独立缓存。

MX500的内部空间其实大家也比较熟悉了， PCB板还未占到2.5英寸盘面的一半，在主控一面上，主控和两个闪存颗粒都贴有硅脂，不过是两个颗粒共用一块硅脂。我们都知道，相对主控，颗粒的发热量是较小的，之所以要给这两个颗粒补一块硅脂，原因恐怕还是离主控较近而做的改善措施。