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编辑说:这次咱们来聊聊这几十年来固态硬盘都发生了哪些改变 。
【硬件编年史】不知道大伙是否还记得自己的第一个固态硬盘有多大?自1991年闪迪发售第一款商用SSD开始 , 商用固态硬盘的发展已经在不知不觉间超过了30年 。 每次谈起固态硬盘 , 总难免要说到颗粒、主控的内容 , 我们很容易掉进“唯颗粒论”的怪圈 , 却忽视了这些年来相关技术的发展 , 实际上随着主控与颗粒技术的不断进化 , 固态硬盘产品早已实现了精细化场景分类 , 下面我们就从闪存、闪存类型、主控这几个方面来聊聊固态硬盘这些年有哪些改变 。
闪存颗粒“超进化”:从2DNAND到3DNAND 聊起固态硬盘就有个无法绕开的话题坎 , 那就是玩家们经常讨论到“颗粒” 。 资深的玩家们应该知道 , 固态硬盘经常被讨论到的芯片包括主控、闪存和DRAM , 而关于颗粒的讨论恰恰又是最高的那个 。 目前被广泛讨论的闪存颗粒其实属于NAND闪存 , 该类型的闪存自2009年出现在固态硬盘上至今 , 已经被广泛应用到我们日常使用的个人电脑上 。
右侧两颗黑色芯片就是闪存颗粒
NAND闪存的工作方式有个特点 , 就是如果我们要给已经写入数据的闪存再写入数据 , 需要先把它的数据擦除 , 才能重新写入 。 随着被擦出和写入的次数增多 , NAND闪存会有耗损 , 这也是固态硬盘寿命用“擦写次数”来形容的原因 。
早期的NAND闪存都是铺设在平面上的 , 被称作“2DNAND” 。 举个不太恰当的例子 , 就像咱们设计停车场的停车位一样 , 地的面积固定的情况下无论路线如何精妙 , 这个停车场能容纳的车位都是有限的 , 为了应对越来越大的停车(数据存储)需求 , 那只好做多层的停车场 , 一层不够那就做二层甚至三层 。 在2DNAND时代 , 厂商为了尽量利用好有限的面积只有不断用新工艺 , 但随着串扰等问题导致闪存颗粒不再能单纯依靠工艺进步带来提升 , 东芝和三星开始押注3DNAND(三星将其称作V-NAND) 。
3DNAND有助于降低成本
NAND闪存也同理 , “2DNAND”的容量是有限的 , 那就做“3DNAND” , 目前镁光已经实现了176层NAND量产 , 闪存密度以及成本压缩达到了空前高度 , 在不久的未来 , 192层NAND也即将量产 , 届时更高容量、成本更低的固态硬盘有望诞生 。
商用闪存类型多样化在争议声中成长的闪存类型:从SLC到QLC 根据固态硬盘的工作原理 , 其数据储存在半导体单元内 , 其中已经被广泛商用的类型主要有四种 , 分别是SLC、MLC、TLC、QLC , 其中SLC属于1bit/cell , MLC属于2bit/cell , TLC属于3bit/cell , QLC属于4bit/cell 。 这个数值的意思是每个储存单元的数据 , 比如SLC一个单元只有一位数据 , 单个储存单元内的数据位数越多 , 就要求主控控制的精度越高 。
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