长江存储|长江存储Xtacking技术：用它，国产存储打败了美光、三星美光|三星|芯片|手机行业

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先说一个事实，那就是中国大陆的长江存储，成为了全球第一家量产232层3D NAND闪存芯片的厂商，技术已经超过了三星、美光、SK海力士、铠侠等巨头。
事实上，长江存储一直保持低调，并没有公布这个事实，但是TechInsights发现使用长江存储芯片颗粒的SSD太强了，于是拆解了这一款海康威视的 CC700 2TB 的固态硬盘，最后才发现，这款SSD用上了 232 层的 3D NAND 结构。
于是消息刷屏网络，广大网友是兴奋不已，因为这可能是第一次，中国大陆厂商在半导体领域，技术全球第一。

那么问题就来了，一家成立仅7年多的公司，怎么就能够在技术上超过三星、美光这些巨头呢？这里要提到长江存储自研的一个3D技术，那就是Xtacking ，也称之为“晶栈” 。
我们知道芯片提升性能的常见办法是提升工艺，比如从14nm提升至10nm ，再7nm ， 5nm ， 3nm ，这种方法是平面微缩。
而在NAND这种存储芯片中，大家发现，当工艺提升至15nm左右后，再微缩工艺，会导致数据不稳定，有可能出现丢失、错乱等现象。

而NAND是用于SSD等存储设备的，一旦存储的数据出问题了，那这设备拥有再高的性能，也没人用，数据稳定安全大于一切。
于是存储芯片厂商们，在15nm后，已经不再是提升工艺，而是改变策略，不再从平面来微缩晶体管了，而是采用上、下堆叠，变成3D结构。
而XX层3D NAND闪存，即代表着这块芯片，是采用了上下XX层的堆叠技术，堆叠的越多，技术越先进，存储密度越高。

存储芯片其实分为两个功能区的，一个是负责存储数据的单元，一个是读取/存入数据的单元，这两块是相互独立，但又紧密联系的。
而长江存储在不断的研究中发现，如果读取/存入数据的单元，将工艺进行微缩，比如提升至14nm ， 12nm等，与15nm工艺相比，是可以大幅度的提升读取/存入数据的速度的。
而存储数据的单元，则不能提升工艺，只能维持在15nm或更成熟的工艺，一旦提升工艺，稳定性就下降了。

于是长江存储有一个大胆的想法，既然这两部分是相互独立的，且特性也不一样，那干脆就将他们分开好了，用不同的工艺来制造。
长江存储的Xtacking就这样诞生了，他是一种3D立体结构，其中存储单元和读取/存入数据的单元是分属不同的晶圆上的。
这样存储数据的单元，采用成熟一点的工艺来制造，保证数据的稳定性。但是读取/存入数据的单元，则采用先进一点的工艺来制造，保证读取/写入的速度，再通过电路将两者连接起来。

这样，制造出来的3D NAND闪存，既能够保证数据的稳定性，又能够保证良好的读取/写入性能，达到两者兼顾的目的。
同时采用Xtacking技术来制造芯片，还能够大大缩短芯片周期，因为读取/写入部分，与存储部分，可以分开制造，采用不同工艺，能够大大提高生产效率。于是长江存储就靠Xtacking这一技术，超过了三星、美光等巨头，率先全球量产232层3D NAND 。
【长江存储|长江存储Xtacking技术：用它，国产存储打败了美光、三星】当然，技术是超过了，但后果很严重，美国被吓住了，将长江存储拉入了“实体清单” ，对一些先进设备进行了限制，可以预测的是，在这样的情况下，这一先进工艺要扩产，比较困难了，估计会错过通过技术，抢占市场的窗口期，而这也是美国的目的。