三星|国产闪存刚进入232层三星加码推进新一代：直奔430层闪存|TLC闪存|国产闪存刚进入

【三星|国产闪存刚进入232层三星加码推进新一代：直奔430层】在闪存领域，中国公司追赶国际先进水平的速度很快，长江存储去年推出的新一代代晶栈3.0闪存实际上已经做到了232层，不比美光、三星的3D闪存差，只是低调运行，没有公开宣传。
三星当然也不会等着被追上，2021年量产的第七代3D闪存做到了176蹭，去年11月份推出了第八代3D闪存没有明确层数，但是业界估计是238层，而且密度是1Tb的，也是当前存储密度最高的TLC闪存。
再往后三星还准备了更高层数的闪存，预计2024年推出第九代3D闪存，堆叠层数提升到280层。
再往后的第十代3D闪存则会跳过300层，直接进入了430层，目标非常激进，预计会在2025-2026年量产，保持两年一次大升级的节奏。
目前三星还在研发这两种闪存，因此280蹭、430蹭还是预估的，具体数据要等量产时候才能确定。
不仅是堆叠层数，三星表示3D闪存的堆叠效率以及存储密度才是更重要的指标，也是三星接下来要解决的技术挑战。

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三星|国产闪存刚进入232层 三星加码推进新一代：直奔430层

三星|国产闪存刚进入232层三星加码推进新一代：直奔430层