光刻机|国产光刻机怎么没消息了？纳米|芯片|阿斯麦尔

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【光刻机|国产光刻机怎么没消息了？】

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首先要告诉大家的是：目前而言，我国最先进的光刻机依然是制程工艺节点为90纳米的步进扫描投影光刻机，至于制程工艺节点达到28纳米的浸没式DUV光刻机的各个部件仍在研发之中，估计不久之后就可以完成了，从而国产光刻机的性能也将进一步得到提升。在国产半导体产业链中，光刻机是唯一的短板，只要光刻机上去了像蚀刻机，离子注入机，光刻胶等都不是问题。所以说，如今光刻机已经成为制约我国半导体产业发展的唯一因素，只要解决了掣肘的光刻机，一切就都迎刃而解了。

国内芯片的现状，就目前而言，在不依赖国外技术的前提下，国内最先进的光刻机制程工艺节点是90纳米，在国外技术的支撑下，不依赖极紫外EUV光刻机时，可以将芯片的制程工艺推进至7纳米。不过美国已经对我国限制了12纳米以下芯片的生产。在去美国化时，国内目前的芯片最高的制程工艺也就是14纳米。 14纳米的制程工艺芯片已经可以满足国内军工、工业、航天、航空、汽车的需求了。毕竟以上企业对芯片可靠性，耐高低温，抗辐射性能要求比较高，对制程工艺并没有那么苛刻的要求。对制程工艺要求比较高的就是手机和电脑所用芯片，这可是拼硬实力的。也就是说，即便是美国限制了12纳米以下制程工艺的芯片生产，但是也无可奈何国内工业的发展。

国内光刻机的现状，上文提到了，依靠我国自主的技术，仅能制造出制程工艺节点为90纳米的光刻机，不过并这不意味着使用该光刻机只能制造制程工艺为90纳米的芯片，在经过多次曝光等步骤之后，芯片的制程工艺还会有进一步的提升。倘是如此，那也无法与极紫外EUV光刻机相比。而与光刻机有关的三大部件就是光源，透镜组，双工件台。只要解决了这三大部件，光刻机所面临的难题也就迎刃而解了，同时这三大部件也是光刻机中难度最高的，毕竟事关光学，超精密加工等等。我国光刻机的三大部件，第一：光源，目前来看，我国已经制造出来了适用于步进投影式DUV光刻机的第三代光源，也就是波长达到248纳米，重复频率为4000hz ，功率为40瓦的氟化氪激光器。由于波长只有248纳米，也就自然无法用于极紫外EUV光刻机，毕竟极紫外EUV光刻机所用的光源波长为13.5纳米。第二：透镜组，由于国内与光刻机有关的透镜或者反射镜的消息很少被披露出来，所以对于国内的物镜系统的有关进度是知之甚少。既然有了成熟可用的步进式投影式DUV光刻机，那么透镜系统就必然已经被制造出来了。不过，这只是透镜而不是反射镜，也无法用于极紫外EUV光刻机。