芯片|国产4nm芯片量产，美方封锁彻底失败。重大技术还是虚假宣传？( 三 ) 光刻机|台积电|it芯片

新思科技以数字设计、静态时序验证、SIP为特长，长期与台积电、三星、英特尔合作。
铿腾电子以模拟、数模混合、数字后端、IP为特长，长期与台积电、ARM合作。
西门子EDA以后端验证、可测试性设计、光学临近修正为特长，长期与台积电、ARM、AMD合作。
三巨头的EDA软件都可以设计5nm及以下芯片。

国内EDA软件最强的是华大九天，其继承了熊猫软件的技术和市场，也拥有国内最强的EDA设计团队，但是拿到国际上只能算二流。
华为九天在液晶显示器设计方面达到了世界领先，电路仿真方面做到了5nm工艺，其他方面，如数字设计、模拟设计、静态时序、IP、SIP等方面只能设计16nm 。
最要命的是，华大九天设计团队只有500人，相当于三巨头的1/10 ，同时，华大九天无法与台积电、三星这类先进制造公司合作、也就无法验证先进EDA性能。
也就是说，如果要设计先进制程的芯片就必须采用三巨头的EDA工具，华大九天只能满足16nm及以上制程。
制造工艺
芯片制造环节是我们的弱点，这是众所周知的。
首先在制造工艺方面，台积电是当之无愧的世界第一，三星、英特尔也有EUV光刻机，但是与台积电差距仍然很大。
国内芯片制造最强的是中芯国际，目前可以做到12nm量产，与台积电相差3代。
台积电是2017年量产12nm芯片的，到现在量产3nm ，时间线上差不多是5年半。
也就是说，即便现在中芯国际拥有全球一半的EUV光刻机，到量产3nm芯片也要5、6年，如果算上技术、工程师的差距，恐怕时间会更长。
但现在连EUV光刻机都没有，谈3nm真的有点扯啊！
EUV光刻机
我们都知道7nm及以下制程的芯片需要EUV光刻机，但EUV光刻机只有ASML能够制造，因此很多国家、研发机构都在试图绕过EUV光刻机。
什么激光光刻机、X射线光刻机等等，都提上了研发日程。
其实，早在上世纪80年代，电子束光刻、离子束光刻、EUV光刻就开始同步研发了。 ASML经过全方面的对比，选择了EUV光刻。

事实证明ASML是正确的，也是幸运的， 13.5nm的EUV光刻机经过3次曝光后，恰好能够生产3nm芯片。
此时，幻想着采用激光、X射线等等来代替成熟的EUV光，可以说是天方夜谭，即便未来几年能够做出来，也已经落后了，因为ASML的EUV光刻机正在升级。
有人提出了量子芯片，可以绕过EUV光刻机。
这是正确的，量子芯片的确可以绕过EUV光刻机，因为它比传统的芯片强大的多。马云就曾说：量子计算只要一台服务器就可以替换掉阿里云的100万台服务器。
这样强大的量子芯片难度只会比EUV光刻机难度更大。

【芯片|国产4nm芯片量产，美方封锁彻底失败。重大技术还是虚假宣传？】最为关键的是，量子芯片中的量子是如何产生的呢？还是要依靠传统技术，借助传统的更强大的物理设备、电子技术，芯片技术，进行复杂的计算产生。
而传统的芯片技术又绕不开EUV光刻机，又回到了原点。
因此，技术革新是离不开传统技术支持的，不搞2G、3G、直接搞5G、6G是不会成功的。不会走路直接跑步必然要摔个大跟斗。
因此， EUV光刻机还是要做， EUV光源、透镜、精密轴承等依然要做，即便它号称无法单独完成，即便它是集成了全球的精密技术。
所以，从EUV光刻机的研发上来看，短时间内仍然是无解的。
半导体材料
半导体材料众多，但大都被日、美、欧、韩所掌握，其中日本是妥妥的优等生。