重大突破！中国激光隐形晶圆切割技术实现50nm分辨率，世界领先今天我们来聊芯片生产过程中

今天我们来聊芯片生产过程中非常重要的一个工艺步骤，晶圆切割。因为，我们在这个领域取得重大突破。
大家好，我是老万，每天跟您解读中国科技的那点事儿。

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十一长假前夕， 9月29日，中国长城宣布，已经完成了半导体激光隐形晶圆切割设备的技术迭代，将分辨率由100nm提升至50nm ，达到行业内最高精度，这真的是一个巨大的好消息！
最近几年，美国对我国的技术封锁和打压越演越烈，尤其是在半导体领域，这也让我们充分意识到，实现100%的半导体产业链是多么地有必要。在行业里各家科研院所、企业单位的刻苦攻关和努力下，一项项关键技术取得突破。而这次，中国的激光隐形晶圆切割技术已经取得了世界领先的地位，真的是可喜可贺啊。
大家都知道，芯片的制造异常复杂，涉及很多的环节和设备，我们熟知和关心的光刻机只是其中之一，光刻机负责在晶圆上雕刻芯片，后面还需要测试、切割、封装等多个步骤，才能形成我们看到的芯片。

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其中的封装环节，我们中国已经是世界顶尖水平，而切割作为芯片制造过程中不可或缺环节，负责把晶圆上的芯片一一地切割下来，切割工艺的好坏，也直接决定了芯片的成品率。
【重大突破！中国激光隐形晶圆切割技术实现50nm分辨率，世界领先】目前主流的芯片切割技术是激光隐形切割，这种技术可以将小功率的激光聚焦在一个直径仅有100多纳米的光斑上，形成巨大的局部能量，然后将晶圆切割开，这样既才能避免大功率激光对芯片造成影响。

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我国在切割设备方面，之前一直被国外厂商垄断，但是到了2020年5月，中国长城旗下的郑州轨交院联合河南通用智能装备有限公司，研制出我国首台半导体激光隐形晶圆切割机，一举填补了这一领域的空白，成功地打破了国外垄断，并且关键技术性能参数也达到了世界领先水平。

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而到了2021年，仅用了一年多的时间，便完成了技术迭代，将分辨率由100nm提升至50nm ，比美国同类设备高出了一倍，达到行业内最高精度。
迭代升级后的激光晶圆隐形切割设备可自由控制激光聚焦点的深度、可自由控制聚焦点的长度、可自由控制两个焦点之间的水平间隔，通过采用特殊材料、特殊结构设计、特殊运动平台，可在500mm/S的高速运动之下，保持高稳定性、高精度切割，激光焦点仅为0.5um ，切割痕迹更细腻，可以避免对材料表面造成损伤，大幅提升芯片生产制造的质量、效率、效益。
这款激光晶圆隐形切割设备可广泛应用于高能集成电路产品，包括CPU制造、图像处理IC、汽车电子、传感器、内存等领域的制造，对我国实现高端国产半导体供应链起到了积极的促进作用，有很重要的现实意义。
随着美国对我国各个科技领域不断进行封锁和打压，近些年来有越来越多的科技成果不断地涌现出来，因为大家都明白，核心技术不掌握在自己手里，就永远不会有话语权，所以当下，无数的中国科研人员都在努力拼搏地搞研发、搞公关，这里我们也要给他们点个赞，感谢他们的辛苦付出。
这次在激光隐形晶圆切割设备方面的突破，虽然不能马上解决我国半导体所面临的困境，但是就像我之前视频里说的，有问题不怕，一个一个解决，早晚有一天，我们会突围成功。