|制裁计划生效了？中国露出底牌，让老美猝不及防

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近日，据媒体报道，美国于华盛顿和日本，荷兰达成了协议，旨在利用国家宏观调控能力进一步限制中国半导体材料的进口。
希望从根源上遏制中国半导体行业的发展，从而在军事，科技，国防等方面全面遏制中国的发展。

老美的制裁计划可谓是“用心良苦” ，先是自己对本国的半导体企业施行单边限制，现在又通过游说使得半导体最为发达的日本，荷兰两国更大化的限制国内半导体的出口，从而实现对中国半导体行业的“垄断式打击” 。

这也就是说，不仅仅5G技术，美国还将禁止向中国提供包括4G、Wi-Fi 6和Wi-Fi 7、人工智能以及高性能计算以及云计算等相关领域的产品。

随着老美赤裸裸的野心暴露，中国也不得不展露出自己隐藏的底牌。
在传统的半导体领域，我国已经实现了28nm、14nm芯片的量产，上海微电子自主研发的光刻机也有机会实现DUV光刻机的国产化，可以说我国已经具备自主研发前景的雄厚基础。

中科院近期也宣布， 3nm光子芯片晶体管技术得到重大突破，有望在2023年实现量产。

众所周知，要想生产高端的芯片，不可或缺的就是EUV光刻机。目前台积电、三星均已实现了3nm工艺，在指甲盖大小的芯片上，需要集成超过150亿的晶体管，可见技术难度有多高了。
这所要求的技术已经不能通过人为进行干预了，所有的步骤都要依赖于高精密设备，而ASML生产的EUV光刻机就是最核心的设备。

国内光刻机供货还要高度依赖于ASML ，想要在硅基芯片上实现反超几乎不可能，而一旦中国在光子芯片晶体上有了突破，就可以避开西方国家所限制的条条框框，利用中国技术完成突破。

中科鑫通也表示：“光子芯片就算采用国产的设备和工艺，也能够实现成熟的量产！”
目前国内在光子芯片的研发上，已经走在了社会的前列，根据《北京日报》的报道，中科鑫通已经开始筹备国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线，预计在今年就可以建成。

假以时日，中国光子芯片研发成功并投入设备量产，恐怕ASML再想大规模的进入中国市场，只有EUV光刻机能进来， DUV光刻机已经不太可能进入中国市场。

因为中国如今“双管齐下”的策略使得中国的发展方向不再单一。
中国如今的策略是在西方先进国家的硅芯片领域实现传统芯片的量产自由，而在前途无量的光子芯片领域稳扎稳打，从而实现“换道超车” 。
倪光南院士曾说过：“关键核心技术是买不来也换不来的。只有把关键核心技术掌握在自己手中，才能从根本上保障国家经济安全、国防安全和其他安全。 ”
在世界国家格局新形势下，推动高质量发展，维护国家安全，必须下苦功夫掌握关键核心技术。
“出则无敌国外患者，国恒亡” ，而在如今美，日，荷三国的“新型同盟”打压下，中国科技虽然举步维艰，但是中国科技的“去美化”则是蒸蒸日上。

最近，国产5G pRRU小基站自研成功的消息流出，无疑是充分的说明了，中国是有在成熟芯片领域独立发展的能力。