投影仪|一中国企业曝接近式光刻机研发进展 但离EUV光刻机还差太远

【投影仪|一中国企业曝接近式光刻机研发进展但离EUV光刻机还差太远】投影仪|一中国企业曝接近式光刻机研发进展  但离EUV光刻机还差太远

运营商财经 康钊/文

近日 , 一家名为大族激光的公司在接受机构调研时表示 , 目前 , 公司光刻机项目主要应用在分立器件领域 , 分辨率3-5μm;其中 , 接近式光刻机已投入市场 , 步进式光刻机已启动用户优化 。 一开始 , 这令不懂行的外界振奋 , 但懂行的业内人士仍然笑不起来 , 因为接近式光刻机是很老的技术 。
中国企业勇于研发光刻机 , 这值得夸赞 , 只有研发光刻机的企业越来越多 , 中国光刻机的技术水平才会越来越高 。 而且 , 低端的光刻机也是大有市场的 。
此次大族激光宣布的接近式光刻机 , 又称非接触式光刻 。 是一种使涂敷在从片上的光敏材料 , 经受穿过与其接近但不接触的光学掩模版的光福照曝光 , 从而复印出光学掩模版图形的方法 。
其原理是:在接近式光刻 中 , 会连续复制整个硅片图形 , 掩模版不与光刻胶直接接触 。 它与光刻胶表面接近 , 在掩模版和硅片表面光刻胶之间大约有2.5~25微米的间距。 光源产生的是被准直的 , 光束彼此平行 。
接近式光刻机出现的年代太早了 。 70年代初 , 美、日等西方国家分别研制出多种型号的接近式光刻机 , 为了适应我国大规模集成电路制造技术当前的发展需要 , 1978年 , 中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机 。
接近式光刻机之后是第三代的扫描投影式光刻机 , 在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破 , 将光刻推向了深亚微米和百纳米级别 。
第四代是步进式扫描投影光刻机 , 第五代是EUV光刻机 , 就是现在各国追求的尖端光刻机 。
从第三代光刻机开始 , 我国光刻机技术就全面落后于欧美 , 这其中很大原因就是美国的技术封锁 , 比如国外工艺线已用0.5m的机器的时候 , 却只对我国出口1.5m的机器 , 整整差了三代 。
此外 , 在80年代 , 巴统规定对我国出口的DSW光刻机 , 镜头NA必须小于0.17 , 即只能有2m以上的分辨率 。
而如今 , 美国又想重演这一幕 , 想联合盟友对中国光刻机技术进行封杀 , 拖慢中国半导体产业的进程 。 但时代不一样了 , 中国的高科技研发能力已今非昔比 。
荷兰光刻机巨头ASML曾嘲笑中国光刻机产业:“就是给全套图纸 , 中国人也造不出光刻机来 。 ”历史会证明这是个笑话 。