光刻机|EUV光刻机开始“落幕”了阿斯麦尔|芯片

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光刻机巨头最早是美企GCA ，后来变成了日企尼康和佳能，然后才是荷兰ASML 。正是和台积电共同突破了浸没式DUV光刻机，才奠定了ASML在光刻机领域的地位。

后来， ASML又推出了更高端的EUV光刻机，且是独家垄断生产，更加稳固了光刻机行业巨头地位。然后，随着技术的不断向前发展， EUV光刻机的路越走越窄了！

【光刻机|EUV光刻机开始“落幕”了】

EUV技术即将走到尽头

ASML能够成为全球唯一一家生产EUV光刻机的厂商，这背后当然少不了美方的私下操作。 EUV光刻机技术非常先进，由英特尔牵头成立组织花6年时间才研发出来。

当时，美方光刻机企业早已没落，有能力参与EUV光刻技术研发的光刻机企业只有尼康和ASML两家，他们也都积极申请加入这个组织，但最后只允许ASML加入了。

因为美方不希望日企崛起，之前日本半导体崛起，存储芯片上就把英特尔压了下去。

所以ASML独享了美方的EUV技术成果，但ASML也因此和美方签订了技术保护性条款，以后55%的光刻机配件必须从美购买，这也是为什么美方能够阻挠EUV出货。

当然，把EUV技术转化成可以应用的EUV光刻机， ASML为此花了17年时间持续研发，投入了超过60亿欧元（约合450亿人民币），这才独家垄断了EUV光刻机。

近几年， EUV产量才不断扩大，从2018年的22台到去年42台，今年将超50台。

ASML还计划到2025年实现年出货90台EUV ，如今新一代Hign-NA EUV即将上市。

ASML因此尝到了EUV带来的红利，不过ASML首席技术官却透露， EUV技术即将走到尽头， EUV 之后是High-NA EUV技术，再往后Hyper-NA可能根本实现不了。

其实，不光是EUV技术很难再突破，成本也高到快不合适了。如今， EUV 约1.2亿美元一台， 3nm晶圆成本已经达到2万美元，接下来2nm、1nm需要用下一代EUV 。

EUV替代技术陆续出现

然而， High-NA EUV的价格更高，将接近4亿美元，用它制造的2nm、1nm晶圆的成本将会更高。如今，随着制程不断地缩小，能够用得起的客户已经开始越来越少了。

只有少量大客户才能用得起，这将导致订单量不断缩小， EUV光刻机用量也会减少。

其实，随着摩尔定律即将走到尽头，当前的芯片材料也接近了物理极限， EUV光刻机在1nm制程之后很难再有新的突破。因此，替代EUV光刻的技术开始不断出现。

首先是日企研发的NIL纳米压印技术。日本曾经的光刻机巨头佳能不甘心落后，于是早就和铠侠研发替代EUV的纳米压印技术，寄希望于用这个技术能够追赶ASML 。

据日媒消息， 2017年开始就在铠侠工厂启动纳米压印的试制设备测试运行，如今已经能够支持15nm制程，预计2025年将能够推出与ASML的EUV一较长短的设备。

其次是美企研发的EBL电子束光刻技术。 10月份美企推出全球最高分辨率光刻系统。

美企利用该光刻技术造出了0.768nm芯片，要知道即使ASML新一代High-NA EUV也难以实现1nm以下制程。不过，目前该技术还有缺陷，只适合小批量的量子芯片。

再者是先进封装开始迅速崛起。先进封装技术就是利用较低制程，能够实现高制程芯片的性能，比如2.5D/3D封装技术，前段时间台积电就积极建立3D Fabric联盟。