Redmi|澎湃P1自研芯片加持！K50系列120W秒充实测：19分钟充满澎湃P1|Redmi|K50|Pro|澎湃P1自研芯

3月17日晚19:00，Redmi将举行K50旗舰系列发布会，届时，搭载天玑9000和天玑8100的K50系列将正式登场。
随着发布会临近，今日，Redmi官方揭晓了K50系列的充电参数。
据介绍，K50系列将配备120W秒充+5000mAh大电量，官方表示：“百瓦秒充、超大电量、轻薄手感，无法兼得？别人做不到，不代表K50系列做不到。”
根据官方充电实测，得益于自研澎湃P1充电芯片、120W单电芯方案和 4:1电荷泵，K50系列充至100%仅需19分钟。

文章图片

据悉，澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗直线下降 30%。
同时，澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm² RSP 。

文章图片

据官方此前介绍，澎湃P1的研发历经18个月，四大研发中心通力合作，耗资过亿，最后终于实现轻薄机身下的大电量120W快充。
小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰表示，在K50系列上，大家将看到一系列领先行业的尖端科技和一系列令人尖叫的体验创新。K50就是要以“狠”的精神和豪横的配置，继承和捍卫“旗舰焊门员”的荣光。
【Redmi|澎湃P1自研芯片加持！K50系列120W秒充实测：19分钟充满】
文章图片