三星|三星陷入良率困境，3nm的GAA工艺，成了翻身机会台积电|芯片|it芯片

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三星在2017年前，在芯片代工领域，其实是排第四名的，台积电、格芯、联电都比三星强。
后来三星在2017年时提了一个目标，那就是要超过格芯、联电、台积电，未来要成为全球芯片代工的第一名。
在2018年时，三星成功地超过了格芯、联电，排名全球第二，然后三星的目标只有一个，那就是超过台积电。

但时至今日，三星与台积电的差距还是相当大的，按照2021Q4的数据，台积电的份额为53% ，而三星只有17% ，台积电份额约为三星的3倍。
事实上，三星这几年一直在努力，特别是在5nm、4nm时更是铆足了劲，还拉拢了高通，意欲与台积电争霸一下。
不过，或许因为三星太急于成功了，所以在4nm时陷入了良率困境，按照媒体的说法，三星4nm良率仅为35% ，而台积电可达到70% ，是三星的两倍。

而良率低会造成什么样的后果？那就是产能太低，成本过高， 35%的率良，意味着生产100块晶圆，其中只有35块是正常的，另外的65块用不得。
所以三星晶圆代工的主要客户正在流失，比如高通，就决定将骁龙8 Gen1订单转向台积电生产，后续3nm芯片也全量委托给台积电……

对于三星而言，目前GAA技术的3nm工艺，成为了三星翻身的机会了，如果GAA工艺的3nm表现不给力，那么三星将很难超直台积电，如果GAA工艺表现给力，那还是有机会的。
GAA技术真的这么大的魅力？还真的有，详细的技术参数，我多说，我只简单地讲一下，大家就会明白了。
所有的芯片，都要进行通电，然后进行运算，而芯片由几十上百亿晶体管构成，而耗电分为两个部分。

一部分是运算本身产生的耗电，叫动态功耗。另外一部分则是CMOS晶体管各种泄露电流产生的静态功耗（又称漏电流功耗）。别小看了漏电，在芯片中，这个漏电功耗其实比动态功耗更大。
而GAA技术，相比于之前的FinFET技术，加到晶体管上的电压变小，这样导致漏电功率也变小。而功耗变小后，这样芯片的发热会变得更小，芯片的效率更高，性能更棒。
所以如果三星真的在GAA技术下的3nm上表现给力，那么生产出来的芯片，功耗小、发热少，你觉得客户会不会选择？毕竟台积电还在使用FinFET ，技术是真的不如GAA技术的。

【三星|三星陷入良率困境，3nm的GAA工艺，成了翻身机会】