半导体|36氪首发 | 「安建半导体」获1.8亿元B轮融资，抓住半导体功率器件的中国机遇 36氪|B轮融资|创投圈

文章图片

文 | 郑灿城
编辑 | 高雅
36氪获悉，半导体功率器件厂商「安建半导体」已于近日获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
半导体功率器件市场是兼具存量和增量的中国机遇。存量的机遇源于中国市场的需求量并不能靠自身满足， IHS（数据提供商埃信华迈）数据显示，中国市场对半导体功率器件的需求量占据了全球35% ，然而位列全球功率半导体市场前八名的公司中，并无一家中国企业，这八家的市场份额占比达55.4% 。
其次，这是一个增长型市场。 2018年，全球功率器件市场规模约为391亿美元，这一数字预计到2021年可达441亿美元，年复合增长率为4.1% 。该预测中，中国市场的需求量也将随整体市场一起扩大，预计2021年中国市场规模可达159亿元。
「安建半导体」对标的正是全球前八名的功率半导体企业，其专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。
功率半导体是电力设备的核心器件，其主要作用是为电力系统提供变频、变压、变流、电机推动和功率管理等功能。因此，所有的电力设备都需要用到半导体功率器件。目前， MOS管和IGBT是应用最广泛的功率器件，占比90%以上。这两者也是「安建半导体」的主要业务。
其中， MOS管是基础功率器件的一种升级形式。最早的功率器件是三极管，原理是当基极与发射极为正时导通，反之截止1；MOS管是人们在三极管基础上的进一步发明，其特殊的结构能够实现高开关频率，但击穿电压2高会增加阻抗，造成较大的损耗；
IGBT则更进一步的中和了MOS管和双极管的性能特性，其可使用的功率范围更宽，可以在MOS管不适用的大电压和大电流场景中使用，但在频率上略有牺牲。
【半导体|36氪首发 | 「安建半导体」获1.8亿元B轮融资，抓住半导体功率器件的中国机遇】资料来源：方正证券研究所
「安建半导体」成立于2016年，彼时就选择了一条由难到易的技术路线。低压MOS管中，电压越低制作难度越大3 ，「安建半导体」第一款产品就是25V的低压MOS ，难度最高。
此外，在IGBT领域，「安建半导体」也选择以国内最顶尖的技术节点切入? 。
「安建半导体」创始人单建安告诉36氪，这样的选择是因为「安建半导体」成立之初资金并不充裕，这款产品向市场展示了「安建半导体」的技术实力。彼时和「安建半导体」合作的晶圆厂尽管还未达到世界最顶尖的水平，但「安建半导体」凭借制造端较低的技术节点，产品性能就能够媲美国外知名芯片大厂。
产品推出以后，很多大型企业选择将「安建半导体」作为合作伙伴，产品力也为「安建半导体」后续融资打下了基础。
本轮投资方厦门联和资本投资总监叶振彪就表示，功率器件是电力电子设备的心脏，单建安教授组建的安建团队是国内少数从先进功率芯片进行正向研发，从而涉足功率器件以及功率模组业务的优秀公司。
目前「安建半导体」的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。