光刻机|ASML的压力来了,佳能正式宣布研发3D光刻机,计划明年上半年上市

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光刻机|ASML的压力来了,佳能正式宣布研发3D光刻机,计划明年上半年上市

佳能宣布 , 正在研发3D技术光刻机 , 并计划于明年上半年上市 。 那么为什么要开发这种光刻机?它什么优势?今天我们就来聊聊这个话题 。
大家都知道 , 全球中高端光刻机市场 , 基本被荷兰的ASML垄断了 , 尤其是EUV光刻机 , 更是独一份 。 之前的光刻机巨头 , 佳能、尼康 , 以及我国的上海微电子 , 都无法生产这种高端光刻机 。

因为5nm以下的芯片必须使用EUV光刻机制造 , 所以美国以此来不断的打击华为 , 导致华为手机业务受到了重创 , 原来已经是全球第一 , 现如今已经跌出全球前五 。 所以大家也都在期待着 , 我们国产高端光刻机能够早日到来 。
其实简单的说 , 如果各家光刻机厂商还按照ASML的路子去做 , 那么想要打造出EUV光刻是非常非常难的 。
因为EUV光刻机是集合人类各个领域最顶尖技术制造而成的 , 抛开技术专利方面的限制以外 , 不论是光源也好、镜头也罢 , 任何一个核心零部件都是独一无二的 , ASML有着自己可控的供应链 , 其他人是不可能拿到的这些东西的 。 想要造出EUV光刻机 , 只能自己注意解决关键技术 , 所以这需要一定的时间 , 那么我国也在这个方向上持续努力的 , 未来一定会攻克EUV光刻机 。

所以 , 也就出现一些新的半导体方向 , 例如硅基芯片、光子芯片 , 以及冰刻技术、芯片叠加技术等等 , 记得去年华为相关专利曝光以后 , 还被很多人诟病过 , 说是50度水+50度水=100度水 , 以此来嘲笑这个专利 , 真的是相当无知 。
其实早在2017年 , AMD开始芯片叠加方面的研究了 , 并且认为未来的发展趋势是进一步提升堆叠能力 , 不仅会实现2D叠加 , 还是实现3D堆叠 , 也就是在垂直方向上进一步扩展 。

英特尔在2018年 , 开发出多芯片互连桥接2D封装技术EMIB和3D逻辑芯片封装技术Foveros 。 并在2019年 , 推出了采用Foveros技术的Lakefield处理器 , 拥有非常不错的性能和功耗表现 。



可以说 , 目前各大CPU厂商、晶圆厂 , 都有涉及到3D封装技术的研发 , 包括三星、台积电甚至是中芯国际 。 所以 , 芯片叠加并不是什么新鲜事儿 。
到了2022年 , 苹果在这个方向又坚实的走出了一步 , 推出了被认为是苹果史上最强大的芯片 , M1 Ultra , 它就是由两颗苹果M1 Max芯片拼在一起 。 所以M1 Ultra拥有高达1140亿个晶体管 , 20核CPU、64核GPU、32核NPU , 最高128GB的统一内存和800GB/S的内存带宽 , 性能逆天 。


苹果自己也表示 , 通过将两个M1 Max 芯片与UltraFusion 封装架构相连接 , 凭借其强大的CPU、庞大的 GPU和神经引擎 , 以及ProRes硬件加速和统一内存 , M1 Ultra成为世界上最强大、功能最强大的个人计算机芯片 。
所以可以预见 , 受限于摩尔定律 , 5nm以下工艺的前进道路并不顺畅 , 例如目前4nm工艺的表现就不太理想 , 例如采用三星4nm工艺的高通骁龙Gen1 , 不仅功耗高、发热量也很大 , 一直被全世界用户诟病 。 所以说 , 3nm、2nm工艺虽然可能在技术上没有问题了 , 但想要实现量产、批量应用到产品上 , 都还需要时日 , 例如良品率、成本、功耗表现等方面 , 可能还会存在无数个问题 。