静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种 。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持 。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新 。然而,当电力供应停止时,SRAM 储存的数据还是会消失(被称为 volatile memory),这与在断电后还能储存资料的 ROM 或闪存是不同的 。
【sram是什么】
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SRAM 不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据 。而 DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此 SRAM 具有较高的性能,但是 SRAM 也有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较 DRAM 大,相同容量的 DRAM 内存可以设计为较小的体积,但是 SRAM 却需要很大的体积 。同样面积的硅片可以做出更大容量的 DRAM,因此 SRAM 显得更贵 。
SRAM 主要用于二级高速缓存(Level2 Cache) 。它利用晶体管来存储数据 。与 DRAM 相比,SRAM 的速度快,但在相同面积中 SRAM 的容量要比其他类型的内存小 。
SRAM 的速度快但昂贵,一般用小容量的 SRAM 作为更高速 CPU 和较低速 DRAM 之间的缓存(cache).SRAM 也有许多种,如 AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步 SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步 SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,流水式突发 SRAM),还有 INTEL 没有公布细节的 CSRAM 等 。
基本的 SRAM 的架构如图 1 所示,SRAM 一般可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(Sense Amplifier),控制电路(control circuit),缓冲/驱动电路(FFIO) 。SRAM 是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM 不像 DRAM 一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大 。
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