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三星 Z Flip 4 电池容量增加
据报道 , 三星将在今年下半年发布纵向折叠屏旗舰 Galaxy Z Flip4 。
Galaxy Z Flip4 型号为 SM-F721 , 机身内部配备两块电池 , 型号分别是EB-BF721ABY和EB-BF722ABY , 一块容量为2400mAh , 一块为903mAh , 电池容量典型值 3400mAh , 比上一代 Galaxy Z Flip3 多了 100mAh 。 三星 Galaxy Z Flip4 将搭载高通骁龙 8 Plus 处理器 。
外媒提到 , 他们在测试 Galaxy Z Flip3 时就发现 , 电池续航是该机的一大短板 , 甚至在轻度使用下都坚持不了一天时间 , 因此 Galaxy Z Flip4 的续航令人担忧 。 (来源:快科技)
中兴 Axon40 渲染图曝光 今日 , 中兴官方预热称 , 中兴 Axon 40 系列配备了一颗独立安全芯片 , 可提供硬件级保护 。 Axon 40 Pro 还配备了一亿像素高清主摄 , 而 Axon 40 Ultra 为 3 颗 6400 万像素镜头 。
此外 , 拼多多似乎提前曝光了这款新机的外观 , Axon 40 Ultra 拥有两款配色 , 后置竖排三摄 , 屏幕边框看起来非常窄 。
此前 , 数码博主 @熊猫很禿然 放出了号称 Axon 40 屏下版的真机图 , 从图中可以看到该机的屏幕效果 , 屏下前摄在斜看的角度下完全看不出来 。 他表示 , 中兴 Axon 40 屏下版额头收的很窄 , 视觉无边框 , 再加上前摄已完全看不出 , 整个视觉效果拉得很满 。
中兴 Axon 40 系列新品发布会将于 5 月 9 日召开 , 发布新一代屏下摄像头系列手机 。 (来源:IT之家)
传三星 3nm 工艺先于台积电投产
据报道 , 三星在对投资人释出的最新简报中透露 , 旗下 3nm 制程将在未来几周内开始投产 , 进度比台积电更快 , 力图弯道超车 , 正式引爆今年台积电与三星最先进的制程竞争激战 。
台积电先前于法说会上指出 , 采用 FinFET 架构的 3nm 依原规划在下半年量产 , 将是“下个大成长节点” 。
业界人士分析 , 三星虽然宣称 3nm 迈入量产倒数计时 , 但从晶体管密度、效能等层面分析 , 三星的 3nm 对应台积电的 4nm , 以及英特尔的 Intel 4 制程相当 。
三星表示 , 相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程 , 新的 3nm 制程所生产的芯片 , 可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作 , 使整体耗电量降低 50% , 效能提升 30% , 芯片体积减少 45% 。
关于良率 , 业界传出 , 目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头 , 但未获三星证实 。
另外 , 台积电也已着手进行更先进的 2nm 布局 , 预期 2024 年风险试产 , 目标 2025 年量产 , 看好 2nm 将是业界最领先 , 且是支持客户成长最适合的技术 。 (来源:IT之家)
小米12 Ultra 最新渲染图
近日 , 有数码博主晒出了一组新的小米 12 Ultra 外观渲染图 。
据数码博主 @数码闲聊站 最新发布的信息显示 , 与此前曝光的消息基本一致 , 全新的小米 12 Ultra 正面将采用主流的居中开孔全面屏 , 不出意外的话采用微曲面屏设计 , 边框控制得非常出色 , 有望带来出众的视觉冲击力和手感 。 而其最大的亮点则在于机身背部 , 该机将配备硕大的后置相机模组 , 面积几乎占据了背部的一半 , 采用多层结构 , 底层为大面积方形底座 , 上方为“奥利奥”造型镜头模组 , 内部包含四颗摄像头 , 其中还有一枚潜望式长焦镜头 , 并将与徕卡联合调教 , 综合实力值得期待 。
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