闪存|国产闪存芯片打破技术壁垒,自主研发性能超韩国,又被美国盯上!

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中国华为芯片事件风雨三年 , 还没有落下帷幕 , 美国又开启一轮新的指控 。 美国近日公开正在调查中国闪存技术制造商长江存储向华为提供芯片事件 , 称这项行为可能违反了美国的出口管制 。 据相关报道描述 , 华为畅享20e使用了长江存储的芯片 , 而这批芯片被美国质疑涉及美国技术 。
长江存储第一次被推向了风口浪尖 , 之前长江存储并没有被美国列为其“实体名单”中 , 是因为和长江存储与美国公司有着深入合作 , 为其带来了可观收入 。 然而好景不长 , 芯片卡脖子的事件可能再次上演 。 长江存储究竟有着怎么样的实力让美国再次提起调查指控“大刀”呢?

一、 年轻却不简单的长江存储美国有消息传出 , 近期苹果正在考虑从长江存储购买芯片 。 美国政府相关人士甚至给苹果首席执行官库克写了一封“严厉”邮件 , 希望苹果否决这样的考虑 。
长江存储去年的全球市场份额其实不到4% , 预计今年份额将增至7% 。 面对庞大且技术封锁多年的芯片市场 , 份额还很小的长江存储为什么让美国这么忌惮呢?

2016年成立的长江存储 , 是一家专门开发3D NAND闪存技术的IDM 集成电路企业 , 集研发制造一体 , 并能提供完整的存储器解决方案 。 成立刚满6年 , 公司看似很年轻 , 但长江存储一年一个技术突破 。
2017年宣布32层MLC研发成功 , 2018年发布Xtacking架构技术 , 2019年宣布64层TLC研发成功 , 随后一年不到时间 , 2020年上半年宣布128层TLC和QLC技术研发成功 , 2020年下半年宣布64层TLC工艺良品实现量产 , 2021年发布两款闪存产品意味着128层TLC工艺良品正式量产 。

这些数据意味着仅仅用了5年时间长江存储在技术层面已经追平了三星、海力士、镁光等存储大佬 。 特别是128层TLC工艺已经实现了行业领先的新标准 。 2018年宣布研发成功的Xtacking 技术是在两片独立的晶圆上 , 分别加工周边电路和储存单元 , 这项技术与其他国际存储大厂的技术和架构都不同 , 拥有独家专利 。

从市场份额上来说 , 长江存储的表现也是惊人的 。 Xtacking 技术之下良品率接近100% , 实现量产后 , 长江存储的全球市场份额从2020年的0% , 迅速突破至2021年的3.4% , 今年预计到7% 。
二、保真的独家专利上文提到长江存储的“威胁” , 首先要了解Xtacking架构技术及其3D堆叠工艺平台 。 闪存产品的堆叠层数是最直观的性能指标 , TLC是指三层单元 。 率先达到200层及以上的三层3D闪存产品将率先成为闪存市场寡头 。

拥有自主Xtacking架构技术的长江存储为量产200层的可能加了非常有利的砝码 。 Xtacking架构技术已经大大缩短了产品开发周期 , 相比传统技术 , 能实现更高的存储密度 , 最新技术已经达到192层 , 而从64层到128层 , 长江存储更是直接冒险跳过了96层完美突破 。 除此 , 这一技术保证良品率接近100% 。