AMD|西部宣布将量产162层闪存：一块晶圆就可提供100TB容量 AMD

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目前的闪存基本上都是3D NAND ，而闪存的层数将会决定闪存的密度，从而提升SSD的容量。目前主流的闪存容量基本上在96层， 128层，此外有很多厂商也已经开始量产更高堆叠层数的闪存，比如说西数就宣布成功量产162层的闪存。这一次西数与铠侠共同发布声明，称通过合作成功量产了第六代BiCS NAND闪存，最多拥有162层的闪存堆叠层数。

162层目前并非是业界最高的闪存堆叠层数，比如说像英睿达也就是美光已经研发了232层的NAND闪存。不过西数表示尽管大家都是162层，不过西数的晶圆面积更小，因此可以提供更高的存储密度，一块晶圆所能提供的容量也更高。比如说原来一块晶圆能够提供70TB的容量，而第六代 BiCS NAND闪存可以提供100TB的容量，密度提升了42.8% ，从而降低了闪存生产的成本。

【AMD|西部宣布将量产162层闪存：一块晶圆就可提供100TB容量】随着闪存堆叠层数的提升，大容量的SSD制造成本应该会大幅下降， SSD的价格也有所下滑，不过闪存的缓外速度可能会有所影响。而西数也表示未来随着技术的进步，闪存堆叠层数将会达到200层，甚至未来还有可能突破500层。届时就不一定是TLC闪存的，不知道闪存的寿命以及稳定性届时能不能有所保证，毕竟现在QLC闪存的口碑实在是过于糟糕。