长江存储|国产闪存芯片重大突破：长江存储实现192层NAND芯片芯片|闪存|it芯片

目前存储行业最新的发展趋势是3D NAND闪存的堆叠层数正在向着更高的水准发展。
比如近日，存储芯片大厂美光（Micron）发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产，并将在2023年推出的新款SSD中使用。
此外三星电子预计也将在2022年下半年推出200层以上3D NAND闪存。
只是都还没实现量产。

那么国产3D NAND闪存又发展得如何了呢？
据报道，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。
上述消息人士表示，顺利推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在NAND技术上追赶领先的韩国及美国竞争对手。
而此前长江存储也表示已经推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023 。
目前以量产水平来看，最高量产的NAND闪存层数为192层，而闪存规格来看，最高量产规格为UFS3.1 ，也就是说年底若长江存储能实现量产，在不出现新的竞争对手之前，我们的量产规格和层数都是最高的。
此外，上述消息人士还称，目前长江存储的128层3D NAND工艺良率已改善至令人满意的水平，也将月产量扩大至10万片晶圆。
【长江存储|国产闪存芯片重大突破：长江存储实现192层NAND芯片】该公司将很快完成其总部位于武汉的工厂二期设施的建设，设备入驻预计将在今年晚些时候启动。到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7～8% 。