赶超台积电?三星3nm芯片明日量产:GAA技术功耗爆降50%

6月29日消息 , 外媒BusinessKorea报道称 , 三星电子将在6月30日开始批量生产3nm芯片 , 抢先台积电实现大规模量产 。 三星3nm工艺基于先进的GAA全环绕栅极晶体管技术 , 相比台积电的FinFET鳍式场效应晶体管技术更为先进 , 三星能否借此一举赶超台积电呢?
赶超台积电?三星3nm芯片明日量产:GAA技术功耗爆降50%
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(图源:三星官方)
赶超台积电?三星3nm芯片明日量产:GAA技术功耗爆降50%】很早之前 , 三星就表示会在今年第二季度量产3nm芯片 , 终于是赶在最后一天投产了 , 时间上比台积电早一个季度左右 。 另外 , 三星还是首家使用GAA晶体管技术的半导体公司 , 在技术上同样领先台积电 。 三星3nm工艺如果能达到预期的表现 , 理论性能应该是要比台积电3nm更强几分的 。
按照官方介绍 , 基于GAA技术的3nm工艺 , 与7nm工艺相比芯片逻辑面积减少45% , 功耗降低50% , 性能提高约35% , 而且能在极低的电压下稳定运行 , 纸面参数强于台积电3nm 。 韩国分析师近日爆料称 , 三星3nm工艺的良品率远高于市场预期 , 新增客户速度也相当快 。 尽管不清楚良品率具体有多高 , 但表现应该是较为理想 , 很值得期待 。
赶超台积电?三星3nm芯片明日量产:GAA技术功耗爆降50%
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(图源:三星官方)
据了解 , 高通、AMD等厂商因为无法获得台积电3nm工艺的首批产能 , 已经转头选择三星 , 成为三星3nm工艺的客户 。 在此推动下 , 三星晶圆代工业务有望增长40% , 市场份额超过25% , 能从台积电那边争夺更大的市场蛋糕 。
台积电3nm工艺量产时间虽然慢一些 , 但明显更加可靠 。 中国台湾电子时报消息称 , AMD、苹果、英特尔、联发科等一众客户 , 都在排队等待台积电3nm工艺的产能 , 预计在第四季度左右量产 。 台积电准备了4波产能 , 第一波应该已经被苹果包圆了 , 后面三波才会陆续分给英特尔、AMD、联发科、高通等客户 。
赶超台积电?三星3nm芯片明日量产:GAA技术功耗爆降50%
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(图源:pixabay)
目前 , 台积电3nm工艺的试产进度比较顺利 , 第一波月产能大约为2.5万片晶圆 , 苹果M2系列芯片应该会首发台积电3nm工艺 。 后续 , 英特尔新一代处理器、AMD和联发科下一代芯片也会用上3nm工艺 。
一直以来 , 三星的制程工艺都被台积电压过一头 , 市场份额不断被稀释 。 所以 , 三星选择押宝3nm工艺 , 想要弯道超车追上台积电 , 在先进工艺领域拥有更多话语权 。 从目前来看 , 三星确实有这个潜力 , 希望量产芯片的表现能带给行业一些惊喜吧 。