【三星|三星量产3nm!真领先台积电 还是“赶鸭子上架”?】6月30日 , 正如之前外界传闻的那样 , 三星电子今天正式对外宣布 , 其已开始大规模生产基于3nm GAA(Gate-all-around , 环绕栅极)制程工艺技术的芯片 , 这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业 。
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三星量产3nm GAA制程 , 上海磐矽为首批客户
2021年6月 , 三星就率先宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片(Tape Out) 。随后在2021年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”活动上 , 三星宣布将在2022年上半年抢先台积电量产3nm GAA制程工艺 。
对于在3nm量产上超越台积电 , 三星方面也是信心满满 。三星Device Solution事业部技术负责人Jeong Eun-seung去年就曾表示:“三星2017年才成立晶圆代工事业部 , 但凭借公司在存储制造方面的专长 , 超越台积电指日可待 。”
他还举例指出 , 三星曾领先台积电开量产采用FinFET技术的14nm工艺 。
虽然之前业界有很多关于三星3nm良率过低而导致量产遇阻的传闻(今年年初有爆料称 , 三星3nm GAA制程的良率仅10%~20%) , 但是三星仍然是在2022年上半年的最后一天(6月30日)正式宣布成功量产3nm GAA工艺 , 以兑现其之前的承诺 。
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根据三星官方公布的声明显示 , 基于其第一代的3nm GAA工艺的芯片与传统的5nm工艺芯片相比 , 功耗降低了45% , 性能提高了23% , 面积可减少16% 。
不过 , 以上公布的数据与三星之前透露的数据(性能将提升30% , 能耗降可低50% , 逻辑面积效率提升超过45%)有一定程度的缩水 。
需要强调的是 , 除了抢先量产3nm制程工艺之外 , 三星也是全球第一个成功将GAA技术应用到量产的3nm芯片当中的晶圆代工厂商 。
虽然台积电将会在今年下半年量产3nm工艺 , 但是其依然是基于FinFET晶体管架构 , 台积电将会在2nm制程工艺上才会采用GAA技术 , 量产时间则将会是在2025年 。
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三星晶圆代工业务主管Siyoung Choi表示:“公司将继续在有竞争力的技术开发方面积极创新 。”
中国矿机芯片厂商上海磐矽或为首批客户
虽然三星并未公布其3nm GAA制程的客户名单 , 但是根据爆料显示 , 三星电子自身以及一家来自中国大陆的矿机芯片厂商——上海磐矽半导体技术有限公司将会是首批客户 。另外 , 三星的大客户高通可能也下单生产3nm芯片 , 但会视情况投片 。
资料显示 , 上海磐矽半导体技术有限公司成立于2016年3月 , 注册资本4500万元人民币 , 总部位于上海 , 是一家设计能力为28nm、16nm和10nm ASIC的高科技初创公司 , 专注于数字加密货币和Al应用的ASIC设计 。
三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 今年早些时候曾表示 , 其代工业务将在中国寻找新客户 , 预计中国市场将实现高速增长 , 因为从汽车制造商到家电产品制造商等公司都争相确保产能以解决持续的全球芯片短缺问题 。
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