纳米|三星全球最先量产GAA3纳米…超差技术再次领先半导体|三星电子

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三星电子30日表示，已经开始批量生产搭载全天候（GAA GATE-ALL-AROUND）技术的3纳米（nm?1纳米=10亿分之一米）工艺半导体。在以GAA为基础的3纳米工程中，三星电子是全球第一家参与半导体制作的企业。三星电子继最初生产了3纳米工程的高性能计算（HPC）用系统半导体之后，计划通过移动SoC（系统芯片）扩大搭载。
三星电子之所以能够成功批量生产3纳米工程半导体，是因为在世界上首次搭载了下一代GAA技术， GAA技术是在半导体晶体管中电流通过的4个通道上形成栅极。 GAA的结构与保护门的上、两侧3个面的现有的FinFET结构相比，保护了上、两侧、下4个面。利用这种结构，克服了晶体管性能低下的问题，提高了数据处理速度和功率效率。

三星电子还追加了自己的技术。这是用薄而宽的纳米片(Nanosheet)制作通道的MBCFETGAA结构。其优点是，与制造又窄又长的通道的普通GAA结构相比，可以更精细地调整电流，可以设计出高性能、低功率半导体。
三星电子有关人士表示:“3纳米GAA第一代工程与现有的5纳米FinFET结构相比，功率减少了45% ，性能提高了23% ，面积减少了16% 。 ”三星表示，预计2023年量产的GAA第二代工程将减少50%的电力、提高30%的性能、缩小35%的面积。
【纳米|三星全球最先量产GAA3纳米…超差技术再次领先】
三星电子基金事业部部长崔世荣（总经理）说：“三星电子在基金行业率先引进了FinFET和EUV等新技术，并迅速发展起来，这次也将在世界上首次提供适用MBCFET GAA技术的3纳米工程的基金服务。 ” ， “今后也将积极开发差异化的技术，构筑尽快提高工程成熟度的系统” 。
三星在当天发表3纳米半导体的量产时使用了“首次量”一词。也就是说，目前还不是搭载新技术生产大量半导体的阶段。代工产业必须委托他人进行半导体的委托生产。从三星的立场来看，如果不能确保客户，就不能大范围地提供搭载新技术的产品。

三星电子在业界第一个引进GAA技术，为确保多数顾客提供了动力。据三星电子称，去年这家公司的代工客户达100多家，与2017年系统LSI事业部分离代工事业部时的30家相比，增加了3倍以上。三星的目标是，以技术竞争力和投资为基础，到2026年确保300个以上的客户。因此，平泽校区的3条生产线将于今年下半年启动，在美国得克萨斯州泰勒也正在建设工厂。
台积电的半导体代工市场占有率超过5成，垄断供应美国苹果自主开发的处理器，也就是所谓的“苹果硅” 。 “iPhone”“iPad”“Mac”都使用了这种处理器。
台积电表示，其目标是在今年下半年开始生产3纳米半导体。并计划2025年开始生产下一代2纳米半导体。

在半导体高性能必不可少的精密化方面，世界最大的半导体代工厂生产企业台积电和三星的竞争日趋激烈。