台积电|中科院官宣突破，让台积电意料之外的事情发生了？官宣|it芯片

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作为全球芯片代工领域中掌握先进技术优势的台积电，历来都是别人想要台积电的技术，亦或者是主动和台积电寻求合作的现象。比如说老美希望台积电共享技术给英特尔，帮助英特尔代工实力增强；再比如说各国要扶持本土半导体产业链，都非常想要拉拢台积电等等，都毫无疑问的说明了台积电的地位。
【台积电|中科院官宣突破，让台积电意料之外的事情发生了？】
可以说，在当下这样的半导体大环境中台积电被拉拢，被“觊觎”这才是一种常规的趋势发展。但就在近日，中科院官宣突破之后，就个人觉得让台积电意料之外的事情发生了。
据消息显示：中科院正式宣布在a-IGZO晶体管领域中取得了重要的进展突破。据悉，这是一种被视为实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料之一，优势就是可以提高晶体管在芯片上的集成密度。通俗点来说就是，在当下不断靠着提升晶体管的集成度来不断推进的芯片制造技术上，如果有了这样性能优异的晶体管，芯片的集成密度有事半功倍的效果。

而这一点被业界人士普遍认为可以助力台积电保持业界第一的位置。
之所以这样说大概是跟目前台积电面临的境遇有很大的关系。虽说台积电目前的3nm工艺已经研发完成，并且2nm的芯片工艺也在逐步的推进当中，从市场的角度上来说台积电仍旧保持在一个工艺领先的地位。不过，很多人不知道这只是一个表象而已。当下台积电正在推进的2nm在公开的数据中显示，密度的提升只有10％。也就是说，当下台积电所保持的地位也算是费尽心思，一旦这个时候其竞争对手稍微有点优势，那么台积电的地位或将就会被压制。

最关键的是，台积电的2nm是首次采用的GAA工艺，这一点三星在3nm的时候就已经用上了。我们不管三星的良品率到底有多少，也不管三星的代工在业界口碑到底好不好，至少我们可以确定的是GAA工艺三星是领先于台积电的，同时也意味着在这一项工艺上三星比台积电更有优势。

很显然，我们看上去两者有很大的差距，实际上两者的差距并不算大，至少台积电真的没有看上去那么有明显的技术优势，何况三星又是个有钱的“主” ，并且还是一个不服输的“主” ，从其展开大投资的计划以及比台积电更早官宣3nm的量产等等事件就足以看出来——“台积电似乎是三星的的眼中钉。 ”

但如果说台积电能够和中科院合作刚突破不久的领域，这对于台积电来说或将又是另外一个局面了。因为一旦合作，台积电很大可能是可以建立明显的技术优势，届时不管是英特尔还是三星等企业想要追赶上台积电的步伐都不是那么容易。这也是为何小编会说这是一个让台积电意料之外的事情，诚如开始所言台积电历来都是被拉拢而不是主动寻求合作的存在。
或许有的人会不想台积电寻求和中科院的合作，毕竟这是我们的突破，留给中企芯片助力也不失一个好办法。只不过，就个人觉得要想让这样的突破能够进入一个快速发展期，和台积电合作是合适的选择。当然了，得台积电同意的前提。

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