全面屏|中科院再次立功，央视亲自官宣，国产EUV光刻机迎来突破 ipad mini

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光刻机是芯片生产线上不可或缺的设备，也是我国半导体产业发展的最大阻碍。此前，梁孟松博士曾在公开信中表示，中芯国际已经完成7nm工艺开发， 5nm、3nm最关键的8大技术也在有序展开，只差EUV光刻机到来。
由此可见， EUV光刻机或将成为我国半导体产业实现由落后到领先蜕变的关键设备。

光刻机市场现状
但短期来看，我国光刻机受制于人的情况并不会改变。国内虽不乏有光刻机制造商，但在技术上与海外企业相比，却有巨大差距。中国光刻机龙头到上海微电至今没有生产出能够用于28nm芯片制造的设备，而中芯国际已经开始攻坚7nm工艺。
考虑到光刻机研发周期比较长，且有非常多技术壁垒。所以在笔者看来，国内光刻机制造商很难在设备上为中芯国际提供支持和帮助。

事实上，光刻机技术落后并不单单是中国所遇到的问题，即便是日韩美等拥有更强光刻机生产能力的国家，也同样在高端光刻机研发方面处于落后位置。
目前高端光刻机市场，荷兰ASML公司一家独大，是全球唯一能够生产EUV光刻机的企业。
中科院立功
其实，中芯国际早在2018年就向ASML公司下达了EUV光刻机订单。按照计划，该设备应该在2019年第一季度交付。但遗憾的是，受《瓦纳森合约》限制，荷兰一直没有对ASML公司下发产品出口许可。而根据美方最新表态， ASML的EUV光刻机在未来很长一段时间里都不会对中国大陆厂商出售。

不过，我国升级芯片技术的脚步并不会因此而停止。 EUV光刻机虽然拥有很高的技术壁垒，但并非完全不可突破。据央视报道，中科院研究的国内第一台高能光源设备已经开始使用，而这意味着， EUV光刻机距离实现国产化又近了一步。

光刻机主要由三部分核心构成，分别是EUV光源、双工件台以及光学镜头。目前我国已经在前两个核心部件上取得成功，而且中科院都是最大功臣。最重要的是，中科院已经开始攻克最后光学镜头难题。
EUV光刻机迎来突破
据悉，由中科院控股的中科科美所研发的“直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置”已经投入使用。其能对光学器件完成0.1nm的镀膜需要，大幅提升我国光刻机镜头的技术水准，这一技术也填补了我国在高端光学领域的空白。

目前来看，中科院所研发的技术和所生产的设备，已经可以为国产EUV光刻机提供强有力的支持。
按照计划，高能光源设备在2022年就能完成与之匹配的交付工作，虽然国产EUV光刻机在其他方面，仍有很多核心零部件和核心技术急需突破。
但也要知道，除了中科院外，我国其他研究机构以及企业也都在努力进行技术突围，像是南大光电研究所所生产的ArF光刻胶已经达到了国际领先水准。这都为EUV光刻机日后实现国产，创造了条件、提供了保障。

写在最后
我国半导体产业发展比较晚，以至于整体技术水准落后于国际。但中国拥有庞大的市场优势和巨大的人才优势，在半导体行业规模持续扩大的情况下，占据天时地利人和因素的中国厂商，必然能在芯片技术研发，材料生产、设备制造等方面摆脱卡脖子的命运。