英特尔计划在2025年重新夺回半导体业务的领导地位英特尔首席执行官PatGelsinger今

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【英特尔计划在2025年重新夺回半导体业务的领导地位】英特尔首席执行官PatGelsinger今天在公司的英特尔加速网络广播中宣布，英特尔正在重新考虑如何发布和品牌化其半导体创新。
该公告包括英特尔未来五年的处理器路线图、新的芯片和封装技术，以及“年度创新节奏”的承诺，最终目标是让英特尔重新夺回其在处理器领域的领导地位。
未来的英特尔产品（最早从今年晚些时候即将推出的第12代AlderLake芯片开始）将不再使用它和其他芯片制造行业多年来一直使用的基于纳米的节点命名法。
相反，英特尔正在推出一种新的命名方案，它表示将提供“更准确地了解整个行业的工艺节点”以及英特尔的产品如何适应该格局。
乍一看，这听起来很像一种廉价的营销策略，旨在让英特尔即将推出的10纳米芯片在与AMD产品（已经在台积电的7纳米节点上）或苹果的5纳米M1芯片相比看起来更具竞争力。
虽然这在技术上是正确的，但它并不像看起来那样不公平。在现代半导体中，名称实际上并不指芯片上晶体管的大小：由于3D封装技术和半导体设计的物理现实等进步，自1997年以来就没有这种情况（正如ExtremeTech指出的那样））。
而从技术面来看，英特尔的10纳米芯片是大致看齐，与从像台积电还是三星的竞争对手，使用类似的生产技术，并提供可比较的晶体管密度“7nm的”品牌的硬件。
这也适用于商业硬件：例如，我们已经看到英特尔目前的10nm芯片仍然可以与AMD的尖端7nmRyzen芯片竞争。

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?英特尔7是英特尔第三代10纳米技术的新名称，也是英特尔10纳米SuperFin（又名英特尔的第二代10纳米芯片，在其第11代TigerLake芯片中最为显着）的后继产品。
英特尔表示，与上一代相比，新的英特尔7硬件将提供大约10%至15%的每瓦性能改进，如果硬件制造商更愿意保持性能，则一如既往地提高电源效率和电池寿命。
第一批基于Intel7的产品最早将于今年面世，已经预览的AlderLake芯片将于2021年底推出用于消费产品，而即将于2022年推出用于数据中心的SapphireRapids芯片。
?Intel4是正式名称为Intel7nm工艺的架构，去年夏天，由于制造问题， Intel臭名昭著地被迫将其推迟到2023年。最初计划在2021年进行，这是英特尔技术的下一个重大飞跃，使用EUV（极紫外）技术——三星和台积电的5nm节点产品已经使用这种技术进行比较。
它仍将使用英特尔自2011年以来一直使用的相同广泛的FinFET晶体管架构。由于所有这些改进，预计英特尔4的晶体管密度将达到每平方毫米约200-2.5亿个晶体管，而每平方厘米约1.7130亿个晶体管。台积电当前5nm节点上的mm2 。
英特尔表示，英特尔4将提供大约20%的每瓦性能提升，同时减少整体面积。生产定于2022年下半年，首批Intel4产品计划于2023年推出（MeteorLake用于消费产品， GraniteRapids用于数据中心）。
?英特尔3 ，制造在2023年下半年成立，将是英特尔以前的命名方案的第二代产品7海里的新名称。
与英特尔4一样，它仍然是FinFET产品，尽管英特尔表示它将提供额外的优化和EUV的使用，与英特尔4相比，每瓦性能提高约18% 。英特尔3芯片没有发布日期或产品名称已经宣布，但据推测，它们要到2024年才能上市。
Intel20A是下一代Intel技术的名称，在旧方案下，该技术将是遵循以前品牌的7nm节点的架构。