英特尔计划在2025年重新夺回半导体业务的领导地位( 二 ) 英特尔首席执行官PatGelsinger今

这也是英特尔今天发布的最重要的公告，从技术上讲，英特尔将推出自2011年FinFET以来的第一个新晶体管架构，称为“RibbonFET” 。
新架构将标志着英特尔的第一个环栅晶体管，这是该公司的一项全新的晶体管技术，承诺更高的晶体管密度和更小的尺寸。
此外， 20A将引入“PowerVia” ，这是一项新技术，允许从芯片背面为晶片供电，而不需要将电源四舍五入到正面。

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标题中的“20A”旨在唤起半导体设计的“埃时代”——埃是一种小于纳米的测量单位。（20?=2nm ，尽管与上面其他更名的英特尔名称一样，英特尔20A并不是指产品本身的特定测量值。）
英特尔的20A预计要到2024年才会量产，而且与英特尔3一样，它还没有任何正式宣布的发布日期或产品。
英特尔18A是英特尔未来路线图中最远的一块，将采用英特尔的第二代RibbotFET技术，以实现“晶体管性能的又一次重大飞跃” 。英特尔表示，英特尔18A正处于“2025年初”的开发阶段，并预计这一代技术将重新确立其半导体领先地位。
除了所有的工艺路线图新闻外，英特尔还宣布了其Foveros芯片堆叠封装技术的两项重大更新（其中第二代将于2023年在英特尔4的MeteorLake中首次亮相。）Foveros芯片堆叠结合了多种硬件将元素集成到单个芯片中，例如英特尔的Lakefield芯片，它将五个CPU内核、一个集成GPU和DRAM堆放在一个紧凑的堆栈中，与传统设计相比，可以节省内部空间。

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FoverosOmni将通过更轻松地混合和匹配瓷砖，而不管它们的具体尺寸如何——例如，允许堆叠芯片中的底部瓷砖小于顶部瓷砖，从而允许更多种类的堆叠筹码。
FoverosDirect将允许组件之间直接铜对铜键合，从而降低电阻并减少凸点间距。两种新的Foveros技术都计划于2023年投入生产。
英特尔的新名字可以帮助公司更准确地recontextualize其当前和未来产品针对其的竞争。即使承认英特尔7与其他代工厂的7nm产品相当，但这些代工厂已经超越了他们的7nm芯片和5nm硬件。
这意味着依赖这些外部代工厂的公司——比如苹果、AMD、英伟达、高通，以及几乎所有其他主要科技公司——仍然可以获得比英特尔最好的产品更先进的芯片。
例如，苹果最高级的M1Mac已经使用了台积电的5nm芯片——并且轻松超过了英特尔的同类产品。
AMD传闻最早也将在2022年开发5nmZen4处理器，这可能会为英特尔提供同样令人担忧的竞争，以应对其已经逐渐蚕食的竞争对手。
即使其路线图有雄心勃勃的年度节奏，英特尔仍在落后。它预计要到2024年的英特尔20A才能完全赶上其他行业。
而且它预计要到2025年才能凭借英特尔18A重新夺回半导体业务的领导地位。所有这些都假设英特尔不会再遇到任何延迟或制造障碍，就像那些阻碍其10纳米和7纳米工艺的障碍（这可以说是让公司处于目前的境地）。
然而，经过多年的挫折，很明显重振的英特尔不会不战而败。
但未来几年还需要看它的努力是否足够。