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【摩尔定律会如何发展？纳米片器件发话了……】构建好硅纳米片沟道区域后 ， 就需要填补沟道空隙 。 首先用电介质环绕沟道 ， 然后用金属形成栅极叠层 。 这两个步骤均采用了十多年前才引入半导体制造领域的原子层沉积技术来完成 。 在这一过程中 ， 一种气态化学物质会被吸附到芯片裸露的表面甚至是纳米片的底部 ， 形成单层 。 之后加入第二种化学物质 ， 与前一种化学物质发生反应 ， 留下所需物质（如电介质二氧化铪）的原子层 。 这一过程极为精确 ， 沉积材料的厚度甚至可以控制到单个原子层 。

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