芯片|我国什么时候才能自行量产12nm以下的芯片？光刻机|华为|it芯片

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“自行量产” ，就是自主量产或者自主生产的意思吧， “12nm以下”一定是12nm到7nm ，直至5、3nm以下。

其实应该是“28nm以下” 。已知，我国早就能独立自主地量产28nm以上的芯片，因为在2016年自主制造出了90nm的低端国产光刻机。后来，中芯国际在2017年到2020年的三年余时间里，接连研发出了28nm、14nm、12nm、n+1和7nm这 5 个世代的工艺技术，其中，前 4 个都实现了规模量产， 28nm还持续扩大产能了呢，却都不是自主性质的，因为研发和量产所依靠的光刻机和其它工艺设备、零配件、原材料这些东西分别是荷兰和美国提供的，我们国内还没有实现国产替代。正因为不是自主量产， 12nm和n+1的规模量产在2020年戛然中止，至今也没有恢复， 7nm技术到现在连风险量产都没有进入，只剩下28和14nm至今还在被“例外”着；也正因为不是自主量产，中芯国际才不得不执行美国的新产品规则，不再给华为代工自研的14nm芯片了，如麒麟710A 。

【芯片|我国什么时候才能自行量产12nm以下的芯片？】

12到7nm芯片在2025年应该能自主量产。按在网上一直持续的一致性消息，特别是中科院在两年前的肯定性预计，国产化的DUV中端光刻机能很快投入商用，我估计在2025年之前一定能，至于难度比DUV光刻机低不少或低很多的其他工艺设备和零配件、原材料的“三化” ，即国产化、中端化和商用化，当然都能更快。中芯国际只要、也只有依靠上来源自我们国内的这些关键核心东西，才能自主量产12到7nm的芯片，包括自由地给华为量产7nm的手机用自研芯片，还可以自由地给华为量产7nm以下的自研芯片，因为华为现在就自主地拥有了更为先进的堆叠封装技术。

5到3nm芯片只会在2030年以后才能自主量产。因为在2030年之前，传统技术路线的国产EUV光刻机才有可能造出来，如果到时候真的造出来了，才意味着我们一个国就拥有了一整条高端又自主可控的芯片技术链产业链供应链，尽管还媲美不了美国那时主导的多个国长期以来合建的那一条。说来，这是乐观的估计，可能会晚一些，急不来的，虽然一定是在“上下大力支持”的情况下，虽然我们国内在EUV光刻机等高端工艺设备以及零配件、原材料上，现在就已经有了一定的技术积累。