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性能爱好者对今年最好的旗舰智能手机感到非常失望(这是正确的)。 由三星和高通的优质芯片驱动的 2022 年高端智能手机运行很热 , 导致设备过热、节流和持续游戏性能不佳等问题 。 共同点是受影响的芯片组是在三星半导体的 4nm 节点上制造的 。
高通的 Snapdragon 8 Gen 1是在三星的 4nm 节点上构建的 , 但其Snapdragon 8 Plus Gen 1更新是在台积电的 4nm 竞争对手上制造的 。 尽管年中芯片更新现在已成为常态 , 但移动制造商的中周期是第一次 , 这让我们怀疑高通对其三星生产的芯片的状态并没有留下深刻印象 。 我们知道我们当然没有去过 。 Snapdragon 8 Gen 1 手机的基准分数主要接近去年的 Snapdragon 888 , 并且总体上在更严格的测试下与过热和持续性能作斗争 。
随着 Snapdragon 8 Plus Gen 1 手机现已上市 , 时钟速度提高了 10% , 效率提高了 30% , 我们有机会测试了其中的一些 , 以帮助得出有关 4nm 制造状态的一些结论. 让我们深入研究一些图表以突出关键差异 。
Snapdragon 8 Plus Gen 1 与 8 Gen 1 基准测试华硕 Zenfone 9和面向游戏的ROG Phone 6让我们第一次体验到 Snapdragon 8 Plus Gen 1 的改进性能 。 这两款手机的性能都优于我们今年早些时候测试的 Snapdragon 8 Gen 1 手机 。 在基准方面 , Plus 变体的结果更符合我们在去年 8 Gen 1 发布后最初的预期 。 ROG Phone 6 卓越的散热性能最终提供了消费者对顶级芯片所期望的持续游戏性能 。
即便如此 , 上图的结果表明 , 让新芯片完全运行仍然有些犹豫 , 就像原来的 8 Gen 1 一样 。 华硕的“动态”性能模式在混合工作负载测试中的时钟速度上是保守的 , 即使使用其强大的ROG Phone 6游戏手机 。 当然 , 优化电池寿命并没有错 , 但它凸显了峰值性能与消费者日常预期之间的差距越来越大 。
8 Plus Gen 1 手机在我们的基准测试中名列前茅 , 但大部分都启用了性能模式 。OnePlus 10T 展示了同样的趋势 , 只有通过性能模式才能获得芯片的最大性能 。 开箱即用 , 我们正在查看更保守的结果 , 特别是在 PCMark 测试的较长工作负载中 。 尽管如此 , 与 OnePlus 10 Pro 相比 , 它的提升潜力要大得多 , 它在启用性能模式时并没有将指针移动到那么远 , 这突显了芯片对节流的渴望 。 换句话说 , Snapdragon 8 Plus Gen 1 达到了比 10% 时钟速度提升本身建议的更高的峰值性能水平 , 但我们测试过的手机仍然保持这种最高性能 , 除非特别要求 。 3DMark 图形测试是个例外 , 它在打开和关闭性能模式时看到相同的分数(因此我们没有包括两组结果) 。
总体而言 , 快照基准测试表明 , 高通的 Snapdragon 8 Plus Gen 1 终于发挥了全部潜力 , 但这种潜力仍然比许多制造商似乎愿意允许的更多的电池消耗 。
Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs 8 Gen 1 压力测试这已经很有趣了 , 但是如果没有更多的苹果对苹果手机的比较 , 这些性能差异有多少归结为芯片或手机制造商的实施还不清楚 。 幸运的是 , 我们获得了最新的 OnePlus 10T 和OnePlus 10 Pro , 并在常规和无限模式下通过 3DMark 的野生动物压力测试运行它们 。
通过从同一制造商处挑选两款旗舰手机 , 我们限制了不同性能目标的前景 , 但仍然看到了真实设备的视角 。 同时 , 屏幕外无限测试消除了剩下的分辨率缩放和其他因素 , 以便将 SoC 与 SoC 进行比较 。 我们在这里没有使用性能模式 , 因为我们想看看芯片如何在合理的热限制内运行 , 而不是完全不考虑温度或功率 。 开始了:
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