锐龙|台积电官宣两个新消息，信息量较大 AMD|it芯片

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芯片已经成为当下最主要的元器件之一，而台积电又是全球芯片制造技术最先进的厂商，于是，很多国家和地区都主动邀请台积电建厂。
芯片等规则被修改后，台积电已经宣布在包含美日等地区建设6座工厂，扩大芯片产能。
结果进入2022年后，台积电就不断传来事关建厂的消息。
例如，台积电称在美建厂成本太高， 120亿美元的投资根本不够，选择在美建厂是我们太天真了。

台积电表示美补贴的520亿的资金，不应该只给本土芯片企业，也应该给那些在本土建厂的国外企业。
从台积电的表态上看，台积电在美建厂并非主动意愿。如今，台积电又官宣两个新消息，关键是信息量较大。
第一个消息，台积电N3工艺将于2022年内量产，后续还有N3E、N3P、N3X 等， N2（2nm）工艺将于2025年量产。

其中， 2nm芯片将会采用环绕栅极晶体管，在相同功耗下， N2比N3E速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30% ，密度也将提升10% 。
【锐龙|台积电官宣两个新消息，信息量较大】据了解，这已经是台积电第三次提到2nm芯片，同时，台积电也已经正式开建2nm芯片工厂，这意味着台积电有望在2024年试产， 2025年正式量产基本没问题。
第二个消息， ASML出货量一半的EUV光刻机都安装到了台积电，凭借EUV光刻机的优势，台积电先进制程的芯片产能高、良品率也高。

据悉， ASML已经推出了升级版的EUV光刻机， NA值为0.55 ，但台积电却没有大量购买NA 0.55的EUV光刻机，依旧采用使用NA 0.33的EUV光刻机。
如今，台积电正式对外透露，将会在2024年正式拥有High-NA EUV 光刻机，该型号的光刻机将会把芯片制程缩小至2nm以下。
其实， ASML之前也曾表示，全新一代High-NA EUV 光刻机的原型机将会在2023年完成，将会在2024年交付厂商测试， 2025年就能够规模上市。

可以说，台积电宣布的这两个消息，透露了很大的信息。
因为台积电在美建设5nm芯片生产线， 2024年在美量产5nm芯片，但该技术与台积电最先进的技术相比，仍落后两代左右。
毕竟，台积电2024年就将试产2nm制程的芯片， 2025年正式量产，而5nm到2nm还隔着3nm工艺等。
从这一点来看，台积电打心底就不想给美最先进的芯片制造技术。

另外，美日等已经正式联合秘密研发2nm制程的芯片，并计划在未来实现更多2nm芯片在本土生产制造，尽管如此，但对台积电而言，根本不会带来影响。
原因是台积电已经确定了2nm芯片方向，工厂也已经正式启动建设， 2024年就能够试生产，这意味着台积电基本上掌握了2nm芯片的相关制造技术等。
最主要的是，台积电的芯片制造技术之所以领先，除了自身研发投资高、制造技术先进外。
也得益于ASML优先将先进的光刻机供货给台积电， EUV光刻机就是最好的例子。

如今，台积电再次透露，在全新一代High-NA EUV 光刻机上，台积电将有优先供货权，这意味着在先进光刻机等设备上台积电仍将领先三星等厂商。
也就是说，在2nm及以下制程的芯片上，台积电仍持续领先，不仅产能会领先于三星等厂商，良品率也将高于三星等厂商，毕竟，设备优势是无法改变的。