2021年中国氮化镓产业现状、重点企业经营情况及行业发展趋势( 二 ) 原文标题：2021年全球氮化镓现

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资料来源：英飞凌，华经产业研究院整理
3、氮化镓射频器件
2021年，全国移动通信基站总数达996万个，全年净增65万个。其中4G基站达590万个， 5G基站为142.5万个，全年新建5G基站超过65万个。
受益于在5G通信基站和军事应用的持续渗透， GaN射频器件市场规模有望从2020年的8.91亿美元增长至2026年的24亿美元（Yole数据），对应CAGR为18% 。
2018-2021年中国4G和5G基站建设情况

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资料来源：工信部，华经产业研究院整理
四、氮化镓产业现状
1、市场规模
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，由于具有高功率、高抗辐射、高效、高频的特点，可应用于5G网络、快速充电、商业无线基础设施、电力电子和卫星市场，前景广阔。 2020年，全球氮化镓器件市场规模为184亿美元，同比增长28.7% 。
2018-2020年全球氮化镓器件市场规模及增长率

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资料来源：公开资料整理
2、市场结构
就氮化镓器件市场结构占比而言，光电器件整体成本和价格较高，成本约是射频器件和功率器件6倍和90倍左右，导致目前虽然整体氮化镓渗透率极低，但光电因价格较高占据主要市场份额，数据显示， 2020年全球氮化镓器件中光电器件占比超6成，功率器件因价格较低仅占4.9% 。
2020年全球氮化镓器件细分类型市场结构占比

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3、渗透率
氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料整体发展较晚，渗透率较低。数据显示氮化镓目前半导体材料渗透率仅在0.2%左右，可发展规模较大。目前氮化镓受限单晶炉产量较低影响，成本远高于硅基和碳化硅，但硅基和碳化硅基为衬底的氮化镓射频和功率器件成本相对光电器件较低，是目前渗透率提高的主流方向。
2017-2020年全球半导体材料渗透率

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五、氮化镓竞争格局
1、竞争格局
就氮化镓射频器件和功率器件竞争格局而言，技术护城河下目前全球市场集中度较高，射频器件相较功率器件技术要求更高导致射频器件集中度更高。数据显示， 2020年全球氮化镓功率器件前5大厂商为PI、Navitas、EPC、Transphorm和英诺赛科， CR5为88% 。 2020年全球氮化镓射频器件前三大厂商为住友化学、Wolfspeed、Qorvo ，市场份额分别为40%、24%和20% 。
2020年全球氮化镓功率器件市场份额情况

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资料来源：Trendforce ，华经产业研究院整理
2020年全球氮化镓射频器件市场份额情况

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资料来源：公开资料整理
六、氮化镓国产化发展趋势
1、IDM模式为主
目前氮化镓产业链行业龙头企业以IDM模式为主，但是设计与制造环节已经开始出现分工。从氮化镓产业链公司来看，国外公司在技术实力以及产能上保持较大的领先。中国企业仍处于起步阶段，虽已初步形成全产业链布局，但市场份额和技术水平仍相对落后。
2、国产化进程
国产企业英诺赛科已建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线，目前产能达到每月1万片/月，并将逐渐扩大至7万片/月。大连芯冠科技在氮化镓功率领域，已实现6英寸650V硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品；在氮化镓射频领域，已着手进行硅基氮化镓外延材料的开发、射频芯片的研发与产业化准备工作。