芯片|国产存储芯片突然宣布最新技术突破，成功反超美日韩芯片 it芯片

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近日国产存储芯片企业长江存储突然宣布已完成了232层3D NAND闪存的量产准备工作，即将投入正式量产，而美国美光、韩国三星、日本铠侠等还在推进200层以上的NAND闪存技术推进，如此一来中国的存储芯片企业在存储芯片技术上已取得领先优势。

长江存储成立于2016年，随后几乎每两年升级一次技术，从32层到64层，再到128层，跟上了全球主流的存储芯片技术，凸显出它在技术方面的快速升级。
长江存储从成立之日起就高度重视技术自研，因此它提出了自己的存储芯片技术标准Xtacking标准，从已量产的128层NAND存储芯片可以看到它在读取速度方面甚至超越了美日韩的存储芯片，可见长江存储在自研技术方面的优秀。
如今更率先推进232层NAND存储芯片技术，代表着它已从跟随到领先，给美日韩存储芯片企业重击，它们没有想到中国这家新创的存储芯片企业仅仅花了6年时间就从落后实现了领先，让它们汗颜。
由于长江存储的技术足够优秀，今年长江存储本来已获得苹果的认可--获得苹果的认可就代表着技术已达到了业界的顶尖水平，因为苹果的技术标准就是行业的最高标准，可惜的由于一些原因最终未能向苹果供货。

长江存储并未因苹果的订单得而复失而气馁，它将继续坚持创新，通过依托于国内这个庞大的市场继续发展。中国市场采购了全球两成的存储芯片，这个庞大的芯片市场足以维持长江存储的持续发展。
长江存储在芯片技术方面从落后到赶超鼓舞了中国芯片业界，意味着中国只有坚持芯片产业发展方针，中国终究能在技术方面跟上全球水平，中国并不缺乏人才，芯片技术也并非高不可攀，只要持续投入总能突破相关的技术限制。
这几年中国除了在存储芯片方面取得突破，中国在芯片制造、射频芯片、模拟芯片方面都不断突破，中国芯片的产业链在加速完善。以手机为例，早几年中国手机的许多关键元件都需要进口，而今年某国产手机品牌发布的新款手机显示国产芯片占比已超过七成，显示出国产芯片已取得巨大的成就。
依托于中国芯片的集体努力，中国芯片如今的日产能已突破10亿颗，国产芯片自给率已提升到三成以上，进口芯片则减少了600亿颗，国产芯片已取得卓越的成就。

【芯片|国产存储芯片突然宣布最新技术突破，成功反超美日韩芯片】中国芯片所取得的成就已让美国芯片震惊，印证了美国富豪比尔盖茨的说法--限制美国芯片向中国出口只会促使中国加快芯片产业的发展，提升技术优势，最终损害美国芯片的利益，如今这一切正逐渐得到证明。