图谋|中国车规IGBT企业的野心、行动、图谋与布局( 二 )

这种情况下，中国IGBT企业已经开始对中国整车企业展开了全面的行业渗透。
02、行动：2022将是“量产元年”？胜利者与失败者的最大区别，就在于胜利者能够将内在的野心付诸行动。
纵观国内涉足IGBT的企业，无一不把它当成战略发展的重点。目前海外企业处于技术引领者角色，而本土企业则主要聚焦于中低压市场。
具体来看，士兰微、华润微、新洁能、华微电子、比亚迪、宏微科技均已经拥有中低压 IGBT 产品的生产能力，而具备高压IGBT芯片生产能力的中国厂商则只有时代电气和斯达半导两家。

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车规IGBT芯片的电压普遍在750V左右，因此我们可以看到各家企业都在600/700V规格进行了大量布局。由于车规芯片需要严格的认证，因此大规模商业导入整车厂仍需要时间。
从目前的消息看，2022年有望成为中国车规IGBT芯片的“量产元年”。
比亚迪的IGBT芯片主要为比亚迪自供，同时也进入小康汽车、宇通汽车、福田汽车、北京时代供应体系。比亚迪国内IGBT市场份额超过20%，已经成为仅次于英飞凌的行业老二。
斯达半导今年上半年IGBT 模块持续放量，合计配套超过20万辆新能源汽车，已经成功切入主流国产汽车供应体系，预计2022年将进一步放量。
士兰微开始正式向整车厂供货IGBT模块B1和B3规格，其中B1适用A00级车，被领跑T03大量采用；B3适用A-C级车，已经被极氪小批量试用，如果效果较好，有望在2022年批量供货。
时代电气、新洁能、宏微科技虽然并未大规模供货，但均已向国内整车厂体检样本进行测试验证，如果一切顺利它们也均有望在2022年逐渐放量。
中国新兴产业曾经历过无数次的“未达预期”，我们从来不缺少野心大的的企业，但真正通过实践将野心实现的企业却凤毛麟角，而正是这少数的实践派成为了最终的胜利者。
03、图谋：SiC的弯道超车车规芯片不需要追赶摩尔定律，因此这个行业并不容易产生大的格局变化。
由于对先进设备依赖度不高，企业的整体支出比较小，但这并不意味着车规芯片就没有技术门槛，各企业比拼更多的是制程工艺、封装设计和新材料迭代。
在英飞凌等欧美日龙头且已经迭代数十年的情况下，中国企业想单纯的凭借工艺获胜，这无异于痴人说梦。虽然“芯片荒”给中国IGBT企业带来扩大市场占有率的机会，但依然不足以向世界龙头企业发起挑战。
那么中国IGBT企业的机会在哪里呢？正是即将爆发的第三代半导体SiC。
SiC具有耐高压、耐高频的特性，仅用传统MOSFET结构，就能实现比硅基IGBT更佳的理化性能。在某些场景中，SiC已经具备完美取代IGBT的能力。

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最早的商用SiC器件出现在2001年，直到2010年人类才实现SiC的 MOSFET结构。也就是说，全球SiC 器件均处于刚刚起步阶段，即使海外龙头企业具有技术上的领先优势，但这个技术差距也远小于IGBT数十年积累的“迭代鸿沟”。
既然硅基IGBT极有可能在未来被SiC器件取代，那么是否意味着如今国产企业争夺的IGBT市场份额毫无意义呢？结果当然是否定的。
正如我们前文所述，整车厂商对于供应商有着严格的资质要求，在传统能源车时代，能够切入整车大厂的供应链体系，这已经就是一种潜在的公司护城河，如今也是同样的道理。
如今国产厂商拿到的IGBT份额，其意义不仅停留在财务层面，实则更是一次对于整车厂商SiC器件的提前卡位。对于新能源汽车整车厂来说，即使要用SiC来取代IGBT，它们往往也更愿意选择合作过的成熟供应商。