顺丰速运|复旦大学突破CFET晶体管技术，有望绕开EUV光刻工艺！( 二 ) 客服

相比于硅基材质，二维原子晶体在原子层精度上的提升，让其在小尺寸环境的短沟道控制能力更加的优越，在按照正常程序制备的硅基上，融入三维堆叠的二硫化钼(MoS2) ，经由一系列的反应形成异质CFET结构。
而二硫化钼的低温工艺能都与之高度兼容，避免器件退化的同时，还能够有效的降低工艺难度，该项技术一旦被全面应用，将有效降低晶体管的密度问题。

而CEFT晶体管技术已经被列为未来发展重点，被认为是用于2nm、3nm芯片制造的GAAFET工艺的“接班人” ，如果能够与芯粒技术结合应用，就能够有效解决芯片制造的成本问题，目前英特尔已经开始展开对应的布局。
最为关键的是能够降低对先进工艺的依赖，只要性能够达标的话，很可能后续就不再需要EUV光刻机了，毕竟一台上亿美元的EUV光刻机，并非是想要就能要的，摆脱对于ASML的依赖，才是目前急需的。

如果能够实现CEFT晶体管技术的全面应用，只要国内能够实现28nm工艺自主化，就足以应对现阶段的一切需求，目前国内在芯片后道技术上，还是位于世界一流水平的，这也是我们弯道超车的关键，对此你们是这么看的呢？