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复旦大学突破CFET晶体管技术 , 成功绕开了EUV工艺!
在老美的芯片规则之下 , 国内无法获取到EUV光刻机 , 导致先进的量产工艺被卡在了14nm上 , 原因就在于7nm以下工艺 , 需要用到极紫外光刻技术 , 才能实现晶体管的高精度尺寸微缩 。
这项技术是由欧美主导的 , 极紫外光源设备制造复杂 , 因此它们一直都对我国采取高度的垄断和封锁 , 而在国内现有的节点下 , 只有实现了CFET晶体管技术 , 才能够实现高性能芯片的制造 。
【顺丰速运|复旦大学突破CFET晶体管技术,有望绕开EUV光刻工艺!】复旦大学团队主动承担起了这项重任 , 将新型的二维原子晶体 , 成功引入传统的硅基芯片制造当中 , 成功实现了对于CFET晶体管技术的突破 , 这将有效帮助国产芯片摆脱EUV工艺的依赖!
芯片产业发展遇瓶颈数字化社会的全面普及 , 芯片的重要性愈发凸显 , 能够获取到什么样的芯片 , 直接决定着一个国家科技发展的上限 , 这也是芯片产业近些年成为关注焦点的原因所在 , 在芯片规则的不断升级下 , 国内唯有完成芯片的自主化 , 才能够彻底的解决问题 。
台积电之所以能够成为最顶尖的芯片制造厂商 , 主要原因在于ASML提供的EUV光刻机 , 而台积电即时的技术反馈 , 也不断帮助到光刻机进行改良和升级 , 先进的工艺虽然短时间内解决了性能需求 , 但伴随着摩尔定律极限的靠近 , 也留下了一大堆急需解决的问题 。
伴随着芯片工艺的提升 , 造芯过程中的成本也成倍增长 , 3nm芯片的设计成本达到了5.811亿美元 , 相比于28nm的4280万美元 , 已经提升了十几倍 , 然而越是先进的工艺 , 相较于上一代性能的提升越有限 , 就连苹果公司也不得不考虑产出比问题 。
而台积电也面临着类似的问题 , 单片晶圆的价格也不断的上涨 , 28nm晶圆仅为3千美元 , 而3nm晶圆已经突破到了2万美元 , 多次向市场提出的涨价要求均被否决 , 3nm产能也正是因为成本问题 , 遭到了苹果、英特尔等厂商的否决 , 因此市场急需新技术来降低成本 。
而目前市面上的芯片堆叠、芯粒等等技术 , 就是各大芯片厂商想出来的解决方法 , 利用后道的封装工艺 , 实现对于性能的提升 , 让不同架构的芯片封装在一起 , 在不改变原有制程工艺的情况下 , 实现性能的大幅度提升 , 虽然在一定程度上解决了问题 , 但并非是完美的方案 。
而一直希望“弯道超车”的中国开始发力而来 , 但现有的技术节点 , 缺失了关键设备EUV光刻机 , 难以实现7nm以下的芯片制造 , 因此只能通过新工艺来提升芯片的性能 , 弥补在制程工艺上的不足 , 没想到这种走“捷径”的方式 , 还真的复旦大学给弄成功了 。
复旦大学攻克关键技术复旦大学选择从芯片设计上入手 , 对能够大幅提升密度的三维叠层互补晶体管(CFET)技术进行研发 , 硅基二维异质集成叠层晶体管技术被提出 , 引入到传统的硅基芯片制造当中 , 4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管成功制备 , 集成密度在同等节点上实现翻倍 , 优越的器件性能直接体现了出来 。
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