12月12日消息|国星光电推出ns62msicmosfet功率模块

12月12日消息 , 国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术 , 全新推出“NS62mSiCMOSFET功率模块新品” , 可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域 。
面向储能逆变器市场 , 国星光电NS62m功率模块新品依托SiCMOSFET芯片的性能 , 提高了功率模块的电流密度以及开关频率 , 降低了开关损耗和导通损耗 , 减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸 , 最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的 。
国星光电NS62m功率模块采用标准型封装 , 半桥拓扑设计 , 内置NTC热敏电阻 , 可实现温度监控;采用62mm尺寸标准基板和接口 , 可兼容行业内各大主流产品 , 实现快速替换使用;具有150℃的连续工作温度(Tvjop)和优秀的温度循环能力 , 器件可靠性表现卓越 。
12月12日消息|国星光电推出ns62msicmosfet功率模块
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NS62m功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中 。 在实际应用中 , 一般会以2个或3个NS62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑 , 将直流电变成频率、幅值可调的交流电 , 实现逆变功能 。 基于NS62m功率模块内SiCMOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能 , 因此在无需额外搭配二极管器件 , 更可满足多数场景下的续流要求 。
12月12日消息|国星光电推出ns62msicmosfet功率模块
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如图中橙色框图部分所示 , 每个框图代表一个NS62m功率模块 , 此图为2个NS62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑 。
12月12日消息|国星光电推出ns62msicmosfet功率模块】NS62m功率模块在工作时可达到更高的开关频率、更低的开关损耗 , 同时 , 可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低 。
12月12日消息|国星光电推出ns62msicmosfet功率模块
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IT之家获悉 , 根据实验数据可得 , 与市场同等电流规格的产品对比 , NS62m功率模块动态特性开通延迟时间减少79纳秒;上升时间减少42纳秒;关断延迟时间减少468纳秒 。 开启损耗降低82% , 关断损耗降低92% , 整体开关损耗表现优秀 。
针对传统工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求 , 国星光电NS62mSiCMOSFET模块系列型号丰富 , 可供选择 。 依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线 , 公司可响应不同封装及规格的SiC功率模块定制开发需求 , 为客户提供高质量的定制化产品服务 。
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