器件|解读英特尔芯片制造技术突破：互连密度增10倍以上，新工艺将逻辑微缩提升超30%( 二 )

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2D新材料展示
二、在300mm晶圆上集成氮化镓器件，铁电存储实现2纳秒读写速度在功率器件方面，英特尔首次在300mm（12英寸）硅晶圆上和硅基CMOS集成了氮化镓（GaN）功率器件。
卢东晖称，该研究验证了氮化镓器件和300mm工艺兼容的可行性，提升了氮化镓器件在现有晶圆厂机台上进行大规模生产的可能。
当前氮化镓器件往往基于8英寸以下的晶圆制造，其成本较高。而这项研究将对第三代半导体的大规模制造起到重要的作用，扩大其应用范围与规模。
此外，英特尔还实现了一众铁电存储器（FeRAM），具有2纳秒的读/写能力。

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英特尔功率器件和内存上的研究进展
三、实现首次室温量子逻辑器件实验，用硅工艺造量子比特在量子领域，英特尔的研究也有所突破。
当前量子计算有超导、光电、硅基芯片等不同的实现路径，由于超导方式对量子比特的操控性较好、可扩展性较强，谷歌、中科院团队等都采用了这一方案。但是由于超导需要超低温（达到或接近绝对零度）的环境，使其应用具有一定难度。
英特尔则采用了硅基芯片的方式来实现量子计算。本次IEDM会议上，英特尔展示了全球首次在室温环境下实现了磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件的实验。
在纳米尺度下，英特尔研究团队通过磁体的自旋电流实现芯片读入功能，通过电磁转换实现写入功能，展现了基于纳米尺度的磁体器件晶体管可能性。
此外，英特尔和比利时微电子研究中心（IMEC）在自旋电子材料研究方面取得了进展，双方合作研发了自旋扭矩多栅极（STMG）结构，可以通过磁畴壁位移实现逻辑和内存功能。
最后，英特尔还展示了完整的300mm量子比特制程工艺流程。值得注意的是，该量子计算工艺与当前的300mm CMOS制造工艺兼容，扩展了量子计算芯片大规模制造的可能。

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英特尔量子领域研究进展
结语：英特尔三大领域研究进展宣告竞争决心在今年的IEDM会议上，英特尔为我们展示了其在制造工艺上的前沿技术，相比很多基础研究，这些技术更注重在实际工艺产线中的生产，体现了英特尔的研发实力。
【器件|解读英特尔芯片制造技术突破：互连密度增10倍以上，新工艺将逻辑微缩提升超30%】自英特尔CEO帕特·基辛格提出IDM 2.0战略以来，英特尔也高调宣布将重拾芯片制造领导地位，本次的各项新研究则揭露了英特尔高调宣传背后的技术研发实力。未来晶圆制程竞争恐更加激烈。