12月28日消息|三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片

12月28日消息 , 众所周知 , 目前计算机常见的冯?诺依曼架构包括存储单元和计算单元两部分 , 计算机需要将数据在存储单元和计算单元之间迁移 , 如果内存速度跟不上CPU计算速度 , 就可能出现“内存墙”的情况 。
而近两年兴起的存内计算就是将计算单元嵌入到内存中 , 可有效克服冯?诺依曼架构瓶颈 。 该技术最早在上世纪60年代就提出了 , 但一直没有商业化 , 三星等大厂目前都在研究该方案 。
《三星存内计算技术公布:全球首搭MRAM , 铺路下一代AI芯片》
据存算一体芯片公司知存科技消息 , 2022年3月 , 知存科技量产的国际首颗存内计算SoC芯片WTM2101正式投入市场 。 距今未满1年 , WTM2101已成功在端侧实现商用 , 提供语音、视频等AI处理方案并帮助产品实现10倍以上的能效提升 。
12月28日消息|三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片
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▲图源知存科技
此外 , 知存科技2023、2024年将推出WTM-8系列产品 , 算力对比现在提升500到600倍;2025年前后将推出WTM-C系列产品 , 可以用于边缘服务器等 。 随着集成规模、工艺等方面的技术推进 , 未来几年存内计算产品预计平均每年都有5~10倍算力的提升 。
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▲图源知存科技
企业官网显示 , 知存科技创立于2017年 , 专注存内计算芯片领域 , 创新使用Flash存储器完成神经网络的储存和运算 , 解决AI的存储墙问题 , 提高运算效率 , 降低成本 。
研发团队由王绍迪博士与郭昕婕博士联合多位学者、产业从业者组建 , 平均拥有10年以上产业工作经验 , 是比肩国际水平的存算一体及芯片技术团队 。
12月28日消息|三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片
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▲WTM2101芯片
12月28日消息|三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片】公司旗下WTM2101芯片适配低功耗AIoT应用 , 可使用微瓦到毫瓦级功耗完成大规模深度学习运算 , 特别适合可穿戴设备中的智能语音和智能健康服务 , 已完成批量生产和市场应用 。 WTM8系列芯片面向4-32Tops算力产品 , 应用于4K-8K视频的实时处理 。