芯片|6500字开关电源设计干货，先收藏再学习！( 四 ) 肖特基|ns|wb战队

41.一个冷知识，如何测量PCB的铜箔厚度？
方法：在PCB板上找一条光滑且长的线条，测量其长度L ，再测宽度W ，再用DC源加1A电流在其两端测得压降U
依据电阻率公式得出以下公式：

例：取一段PCB铜箔，长度L为40mm ，宽度为10mm ，其通过1A电流两端压降为0.005V ，求该段铜箔厚度为多少um？

42.一款36W适配器的EMI整改案例，输出12V/3A ，多图对比，整改花费时间3周。
变压器绕法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2
PCB关键布局：Y电容地→大电容地，变压器地→Vcc电容→大电容地
注：变压器所有出线没有交叉

图一（115Vac）
图一所示可以看到， 130-200M处情况并不乐观；
130-200M主要原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全压下来，图忘记保存了。
为了节约成本，公司并不让我这样做，因为套磁珠影响了成本，当即NG掉此PCB布局，采用图一a方式PCB关键布局走线。
变压器绕法不变：Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2
PCB关键布局：Y电容地→变压器地→大电容地
注：变压器内部的初级出线及次级出线有交叉

图一a （115Vac）
图一a可以看出，改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减，但是30-130M没有图一效果好，可能变压器出线无交叉好一些。仔细观察，此IC具有抖频功能，传导部分频段削掉了一些尖峰；

图一b（230Vac）

图一b可以看到，输入电压在230Vac测试时， 65M和83M位置有点顶线（红色线）

图一b-1（230Vac）

原边吸收电容由471P加大到102P ， 65M位置压下来一点，后面还是有点高，如图一b-1所示；

图一b-2（230Vac）

变压器屏蔽改成线屏蔽（0.2*1*30Ts）后面完全衰减，如图一b-2；

图一b-3（115Vac）

115Vac输入测试，后面150M又超了，发克！高压好了低压又不行，恼火啊！看来这招不行；

图一b-4（115Vac）

变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽（圈数由0.9Ts改成1.3Ts），效果不错，如图一b-4所示。

图一b-5（230Vac）

115Vac输入测试，测试通过。
结论：
一：变压器出线需做到不交叉；
二：Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地，不与其它信号线交叉；
43.一款48W（36V/1.33A）整改EMI案例，仅仅是调整了肖特基吸收就把30-40M压下来。
115Vac低压30M红色顶线

230Vac高压30M红色也顶线

调整肖特基吸收后：

115Vac低压，走势图非常漂亮

230Vac高压，走势图非常漂亮

44.安规距离一览表。

45.刚入门使用CAD、PADS上容易遇到的问题。
a..PADS画好的PCB导出为DXF文件， CAD打开后是由双线组成的空心线段，如图：

刚开始不会时，是用L命令一根一根的描，狂汗。。
使用多次后，解决方法是使用X命令就可以变成单根线
b..CAD图档线框转PADS做PCB外框图方法：
step1．在CAD里面刪掉没有的线，只剩下板框，其它线也可以不删。
step2．在键盘上敲PE ，回车，鼠标点中其中一边，再敲Y ，回车，再敲J ，回车，拖动鼠标把整个板框选中，回车，按Esc键退出此模式。
step3．比例调整， SC 按空格，选取整个板框，按空格，任意地方单击鼠标一下比例: 39.37，按空格。
46.在画PCB定义变压器脚位时，要考虑到变压器的进线和出线是否会交叉，因为各绕组之间的绕线在边界处存在有45-90度的交叉，需在交叉出线处加一个套管到pin脚。