在DRAM领域 ， 三星电子为推进10nm范围以外的微缩 ， 也在不断突破尝试 。 面向第一季度 ， 三星表示 ， 将继续通过积极解决LPDDR5x等高端产品的需求 ， 及时为服务器和PC快速增长的DDR5需求做好准备 ， 从而最大限度地减少任何不利影响 。
以上两者 ， 无论是技术上还是行业中都占有一席之地 。 但在先进制程上 ， 三星电子却处于劣势 。
与之相比的是台积电 。 三星电子于去年6月30日 ， 在发布的新闻中称其基于3nm工艺节点的芯片已经开始初步生产 ， 成为全球第一家实现3nm芯片量产的厂商 。 台积电则是在去年8月底宣布3nm即将量产 。 在时间上 ， 三星电子占据了优势 ， 尽管如此 ， 但在过去几年的竞争中 ， 因产品良率的问题受到诟病 。
据BusinessNext采访报道 ， 半导体行业分析师和专家估计 ， 目前台积电的3nm良率可能在60%-70% ， 最高在75%-80% 。 相比之下 ， 三星电子的3nm良率才10%-20% 。 就目前而言 ， 三星3nm芯片订单仅有自家的猎户座芯片 ， 而苹果已经正式向台积电下了3nm芯片订单 。
在最新的财报中 ， 三星电子透露称 ， 3纳米第一代工艺目前正在大规模生产 ， 产量稳定 ， 根据第一代大规模生产经验 ， 3纳米第二代工艺的发展正在迅速发展 。 2023年 ， 三星将努力为3纳米第二代流程赢得新客户 ， 专注于第一代2纳米流程的开发 ， 并继续开发专业和成熟的流程 ， 以便在汽车/物联网等应用程序中实现多样化 。
【存储行业“遇冷”，三星电子还要故技重施？】由此可见 ， 三星电子能否在先进制程中扭转局面 ， 还需夯实自身实力 。

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