要发展SiC|韩国sic产业链布局情况要发展SiC

【要发展SiC|韩国sic产业链布局情况】要发展SiC ，半导体供应链的多个领域必须无缝地结合在一起，以协同达到大规模具有成本竞争力的SiC功率器件制造的顶峰。目前韩国正在进行大量投资，各SiC器件生产商、IDM、纯代工厂、设备制造商，乃至大学、研究院所齐出力，共同开发SiC 。
近日，韩国30家本土半导体企业以及大学和研究所将于4月14日组建碳化硅产业联盟，以应对急速增长的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）等宽禁带半导体所引领的新型功率半导体市场，从而形成韩国本土碳化硅生态圈。据悉，联盟内的30家韩国功率半导体企业将共同参与材料、零部件、设备用功率半导体的开发，培育与碳化硅半导体相关的材料、零部件和设备企业的发展。那么韩国在SiC领域的储备和配套如何呢？
SiC产业链
SiC的产业链主要由单晶衬底、外延、器件、制造和封测等环节构成。
在这些环节中， SiC衬底是发展SiC的关键。衬底是将高纯度多晶SiC粉末经过升华、晶体生长、切割、研磨、清洗等过程制造而成的晶圆，为薄片形态。为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的SiC衬底，主要是两种：低电阻率的导电型SiC衬底，和高电阻率的半绝缘型SiC衬底。
但衬底是不能直接拿来制造大功率和高压高频器件，而必须在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。在抛光晶圆上采用真空蒸发的方式形成几微米厚度的新的碳化硅单晶层，这就是外延片。几乎所有SiC功率器件的制备均是基于高质量SiC外延片，外延技术对于碳化硅器件性能的充分发挥具有决定性的作用。
在导电型SiC衬底上生长SiC外延层制得的SiC外延片，可进一步制成功率器件，功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一，广泛应用于电力设备的电能转化和电路控制等领域。在半绝缘型SiC衬底上生长氮化镓外延层制得的SiC基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，微波射频器件是实现信号发送和接收的基础部件，是无线通讯的核心，主要包括射频开关、LNA、功率放大器、滤波器等器件。
接下来的流程就跟硅基半导体类似，进行制造、封测到最终出来各种各样的SiC器件。
韩国SiC产业链布局情况
在衬底领域，韩国的SKSiltron是主要的SiC衬底厂家。 2021年2月， SKSiltron宣布已开始生产少量的碳化硅衬底晶片。据日媒《亚洲经济》2月16日报道，韩国SKSiltron正在扩建韩国龟尾2厂，以生产碳化硅晶圆。

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SKSiltron在庆尚北道龟尾的晶圆厂
除了韩国本部， SKSiltron在美国也有两家晶圆厂。最近， SKSiltron表示将在未来5年内，在美国投资约38.42亿人民币，以扩大美国碳化硅晶圆生产规模。 2019年9月SKSiltron以28.5亿人民币收购了杜邦SiC晶圆事业部。今年3月份， SKsiltron在美国密歇根州贝城建设的碳化硅(SiC)半导体晶圆制造工厂(fab)开始运营，主要生产6英寸SiC衬底，该工厂将响应ST和英飞凌等当地汽车半导体的需求。预计晶圆年产量在6万片左右。此外，去年下半年， SKsiltron还买了一块另一家工厂，该工厂将生产碳化硅晶圆的基础材料，即锭和晶圆。
1月7日，碳化硅衬底公司Scenic签订了洁净室建设合同，准备量产SiC晶片，工期至2022年2月28日结束。 Scenic公司的前身是SKC集团的碳化硅子公司，于2004年成立，当时是韩国唯一的碳化硅衬底公司，目前成功开发2英寸至6英寸碳化硅晶圆。 Scenic计划将通过IPO筹集的大部分资金用于加强6英寸碳化硅晶圆技术的竞争力和扩建设施，目标是在2023年底前完成包括现代汽车公司在内的主要客户的产品认证，预计从2024年开始正式销售。