芯片|人造太阳温度突破1.5亿度，国产芯片封装性能达4nm，真我手机回归国际热核聚变实验堆|等离子体

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可控核聚变我国大国科技“人造太阳”中国环流器二号M装置(HL-2M)科学研究再获新的进展，最高温度已经突破1.5亿℃ ，并获得100万安培等离子体电流，刷新了运行纪录。

众所周知，人类巨多资源都是太阳赋予的，如果人类能够随意控制核聚变的能量，那么我们的未来将拥有无限可能，除了能够无限发电外，我们还可以实现太阳赋予的一切，一句话就是谁掌握了可控核聚变，谁就掌握了未来，所以可控核聚变项目，也被我国称之为“大国科技” 。

近日有多家媒体报道，我国环流器二号M装置已经制造出1.5亿℃的高温，这个温度值已经超出了太阳内部的温度，更加令人惊喜的是此次还制造出了超过100万安培(1兆安)的等离子体电流，一举刷新历史运行纪录。据中核集团核工业负责人表示， HL-2M装置的等离子体电流能力可以达到2.5兆安以上(也就是250万安培) ，但目前它的潜力仅仅只发挥了2/5 ，远未达到它的能量极限，后期还有很大的推进空间。

国产芯片突破制程限制众所周知，在芯片代工领域，台积电凭借着先进的制程工艺、高良品率几乎占尽了优势，市场份额高达56％，其它剩下的份额也被三星、英特尔等芯片代工企业所持有，中芯国际作为我们国内最大的芯片代工企业，这几年可以说是在夹缝中求生存，硬是从原来的28nm ，一路向下发展到了14nm ，但是由于受到了EUV光刻机的限制，要想获得更加先进的制程工艺将难以实现。

话虽如此，但我国科研人员除了继续攻关高端光刻机外，也从未放弃探索通过其它路径来获得更高性能芯片的方法。
最近，长电科技宣布了芯片封装技术最新成果，通过将14纳米芯片封装成3D配置，从而获得最高4nm芯片性能的封装技术。

根据官网描述，这种封装技术不仅可以实现4纳米同样的效果，而且成本还相当的低，如果这项技术能够成熟运用并实现批量生产的话，那将意味着我们即便没有更先进的EUV光刻机，也能够造出和先进芯片同样效果的芯片出来，虽然仍然是14nm制程工艺，但在获得高性能的同时，还能在关键的时候不被卡脖子，实属是一个实用且有效的办法。

真我首款数字机型强势回归国内市场。真我realme这个品牌对于年纪稍大一点的人来说，还是比较陌生的，毕竟是在国外起家的，但对于年轻人来说又是相当熟悉的，因为真我realme主打的是年轻化、潮牌、性价比机型，在短短的几年时间里，真我凭着时尚的外观设计、超高的性价、温和的价格等特点，受到了国内外年轻人热烈的追捧，目前真我全系产品已经覆盖全球60多个国家，仅数字机型在全球累计销量就已经超过了5000万部，一举拿下了全球第六的宝座。
【芯片|人造太阳温度突破1.5亿度，国产芯片封装性能达4nm，真我手机回归】
#真我10#作为回归国内首款数字系列手机，自然也给国内消费者带来了相当多的亮点，尤其是旗舰机型真我10Pro+，单从硬件配置上来看就非常值得期待。